0501セラミックス及び無機化学製品 放射線欠陥が炭化ケイ素に局所的な「コア・シェル」構造を形成（Radiation Defects Create Local “Core-Shell” Structures in Silicon Carbide）
2026-09-28 合肥物質科学研究院（HFIPS）SiC（炭化ケイ素）は高温・高放射線環境に耐えるため、先進的な原子力エネルギーシステム用材料として期待されている。中国科学院合肥物質科学研究院の研究チームは、イオン照射実験と第一原理計算...
放射線損傷
0501セラミックス及び無機化学製品 
0403電子応用 単一電子が半導体チップに与える損傷を説明する新モデル（New model explains how single electrons cause damage inside silicon chips）
2026-04-14 カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）米国のカリフォルニア大学サンタバーバラ校の研究チームは、単一電子がシリコンチップ内部で損傷を引き起こす仕組みを説明する新モデルを提案した。半導体デバイスでは微小スケールでの...
1701物理及び化学 パルス電子ビームによる放射線損傷軽減に関する仮説を覆す超高速クライオEM研究（Ultrafast Cryo-EM Study Challenges Assumptions on Pulsed Electron Beam Mitigation of Radiation Damage）
2025-07-08 中国科学院(CAS)Schematic diagram of electron radiation damage detection in saturated aliphatic hydrocarbon C44H90 ...
2004放射線利用 X線照射で始まる超高速反応の観測に成功～レントゲンによるX線の発見から120年で初～
2019-05-17 東北大学,京都大学,広島大学,理化学研究所,高輝度光科学研究センター【発表のポイント】 X線照射により極めて短時間に起こる現象を観測。 放射線損傷機構の解明に期待。【概要】東北大学多元物質科学研究所の福澤宏宣助教と上田...