層状ニッケル酸化物

0403電子応用

酸化物初の熱的相変化を活用した電気抵抗スイッチングを実証 ~多値記憶可能な相変化メモリーデバイスの実現に期待~

2023-09-06 東北大学 大学院理学研究科化学専攻 助教 河底 秀幸(かわそこ ひでゆき) 【発表のポイント】 相変化メモリ(注1)は、電源を切っても記憶した情報が消えない不揮発性メモリの一種で、その動作原理である「熱的相変化を活用し...
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