トランジスター

0403電子応用

強誘電体二酸化ハフニウムを用いたトランジスターとメモリーの動作メカニズムを解明

強誘電体であるHfO2(二酸化ハフニウム)をゲート絶縁膜とするトランジスターがより低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した。
0403電子応用

新構造トランジスターを開発

平成29年12月4日  科学技術振興機構(JST),東京大学 超低消費電力LSIを可能にする新構造トランジスターを開発 ~量子トンネル効果を駆使、IoTの電池寿命を大幅に延長~ ポイント 極めて小さな消費電力で動作するトンネル電界効果トラン...
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