0403電子応用 超高速量子メモリ動作を引き出す素子設計 ―熱に頼らない高効率な磁気情報の書き込みに向けて―
2026-07-13 東京大学東京大学を中心とする研究グループは、カイラル反強磁性体Mn₃Snを用いたスピントロニクス素子において、磁性層を薄膜化することで、ジュール熱に依存しない**スピン軌道トルク（SOT）**による高効率な磁気スイッチ...
スピン軌道トルク
0403電子応用 
0403電子応用 超高速・超低省電力で動作する不揮発量子スイッチング素子 ―40ピコ秒動作、次世代コンピュータ・データセンター省エネへ―
2026-05-15 東京大学東京大学と理化学研究所などの研究グループは、反強磁性体Mn3Snを用いた超高速・超低消費電力の不揮発量子スイッチング素子を開発した。研究成果は『Science』に掲載された。従来のCPUやGPUでは高速化に伴い...
0403電子応用 電流による反強磁性体の超高速磁化スイッチングを 時間分解イメージング測定で可視化～ノンコリニア反強磁性体の100ピコ秒級の高速反転過程を解明～
2025-12-04 東京大学東京大学の研究チームは、ノンコリニア反強磁性体 Mn₃Sn において、100ピコ秒級の電流パルスによる超高速磁化反転過程を世界で初めて時間分解可視化することに成功した。フェムト秒レーザーを用いた磁気光学カー効果...
１原子レベルの薄膜で磁気準粒子の磁化ねじれを制御～大容量・高速・低電力な新規情報端末の幕開け～
2025-11-21 九州大学九州大学の研究グループは、情報端末の大容量・高速・低電力化を同時に実現できる可能性をもつ磁気スキルミオンの性能を、1原子レベルの薄膜挿入によって飛躍的に改善する手法を実証した。従来のPt/Co/Ni積層構造に、...
0403電子応用 電子スピンのトルクを2重にして磁壁移動を実現～次世代スピントロニクスメモリの省エネルギー・高速動作に道～
2025-10-20 東北大学東北大学金属材料研究所の関剛斎教授らの研究チームは、電子スピンによるトルク効果を2重に活用し、磁石中の磁壁を効率的に移動させることに成功した。研究では、白金(Pt)層で挟んだコバルト(Co)とイリジウム(Ir)...
0403電子応用 酸素原子のわずかな「ズレ」で磁石を反転～強磁性ワイル酸化物「単層」における高効率磁化反転で低消費電力磁気メモリへ道を拓く～
2025-05-14 東京大学東京大学大学院工学系研究科とNTT、日本原子力研究開発機構、北海道大学、熊本大学の共同研究チームは、強磁性ワイル酸化物「SrRuO₃（SRO）」の単層薄膜において、電流のみで磁化の向きを反転させることに成功しま...
0403電子応用 シリコン基板上の高性能酸化物スピントロニクスデバイスを開発（Scientists Develop High-performance Oxide-based Spintronic Devices on Silicon Substrates）
2025-04-15 中国科学院（CAS）Heterogeneous integration of single-crystal SrRuO₃ films on silicon for spin-orbit torque devices w...