0402電気応用 “エントロピー効果”により新規強誘電体窒化物を発見～低消費電力メモリや圧電センサ等への応用に期待～ 2025-06-23 東京科学大学理化学研究所と東京科学大学の研究チームは、AlNとGaNの合金にスカンジウム（Sc）を取り込むことで、新規な強誘電体窒化物膜を開発しました。エントロピー効果により従来より多くのScを結晶に取り込み、低電圧・... 2025-06-23 0402電気応用
0403電子応用 スマートフォンの通信デバイスを小型化する新種のトランジスタ (New kind of transistor could shrink communications devices on smartphones) 2023-03-08 アメリカ合衆国・ミシガン大学・ ミシガン大学が、スカンジウムを添加した窒化アルミニウム(ScAlN)の強誘電性半導体による高電子移動度トランジスタ(FeHEMTs)の実証に成功。・ 同大学では先般、次世代半導体の窒化ガ... 2023-05-31 0403電子応用
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