0403電子応用 シリコン上の縦型GaNデバイス実現に道を拓く低抵抗バッファー層を開発 — GaNのエピタキシャル成長と縦方向の電気伝導を両立 —
2026-06-15 物質・材料研究機構NIMS（物質・材料研究機構）は、安価なシリコン（Si）ウェハー上で縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスを実現するための新しいエピタキシャル成膜技術を開発した。研究チームは、Siと窒素からなる極薄の「ア...
エピタキシャル成長
0403電子応用 
0501セラミックス及び無機化学製品 高エントロピー酸化物薄膜の酸化選択性とクロムの偏析（When High Entropy Meets Epitaxy: Selective Oxidation and Chromium Segregation in Multicomponent Oxide Thin Films）
2025-09-15 パシフィック・ノースウェスト国立研究所 (PNNL)太平洋北西国立研究所（PNNL）の研究では、高エントロピー酸化物薄膜をエピタキシャル成長させる際に、酸化選択性とクロムの偏析がどのように生じるかを明らかにした。複数元...
0403電子応用 シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功
超伝導材料にアルミニウムを使用しない超伝導量子ビットとして、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功した。