1700応用理学一般 オンチップテラヘルツポンププローブ分光系の開発と超伝導体への応用～超高速電流により量子物質制御を実現する新たな手法～
2025-09-09 東京大学東京大学の研究チームは、チップ上導波路を利用してピコ秒（1兆分の1秒）スケールの電磁応答を測定できるオンチップテラヘルツポンププローブ分光法を開発した。これは、テラヘルツ波を導波路内に閉じ込めて試料に作用させ、...
東京大学
1700応用理学一般 
1701物理及び化学 黒点を横切る惑星が伝える、傾いた惑星系の姿
2025-09-09 自然科学研究機構自然科学研究機構アストロバイオロジーセンター・東京大学らは、赤色矮星TOI-3884で惑星TOI-3884bが恒星黒点を繰り返し横切る「黒点通過トランジット」を、多色カメラMuSCAT3/4（LCO 2...
1701物理及び化学 星の死に際の“破壊的核燃焼”を明らかに～超新星残骸から爆発直前の激しい核燃焼過程の観測的証拠を掴む～
2025-09-03 明治大学明治大学・東京大学・京都大学らの国際共同研究チームは、超新星残骸「カシオペア座A」のX線観測から、大質量星が爆発する直前に内部で起きる「破壊的核燃焼」の証拠を世界で初めて捉えました。通常、星の内部構造は観測でき...
0500化学一般 球形のナノダイヤモンドを低温・低圧下で合成～有機分子の電子線照射による化学反応の精密制御～
2025-09-05 東京大学東京大学の中村栄一特任教授らの研究グループは、ダイヤモンド骨格を持つ有機分子アダマンタン結晶に電子線を数秒照射することで、従来の超高温・超高圧条件を用いず、低温（–173～23℃）・低圧（10⁻⁵ Pa）下で球...
0703金属材料 異方的成長による量子ニードルの合成を実現～近赤外光応答ナノ物質の開発に向けて～
2025-09-05 東京大学東京大学の研究グループは、金ナノクラスターが特定条件下で四面体Au4や三角形Au3を基本単位として異方的に逐次成長する過程を単結晶X線構造解析で可視化し、胴径わずか金3原子でできた超極細一次元構造「金量子ニード...
0403電子応用 単一の半導体材料にて正孔と電子の異なる輸送異方性を実証～分子半導体における理論予測を実証し、次世代電子デバイス開発の新たな指針を提示～
2025-09-04 東京大学,横浜国立大学,東京理科大学,産業技術総合研究所,科学技術振興機構東京大学、横浜国立大学、東京理科大学、産総研、JSTの研究チームは、独自に開発したアンバイポーラ分子半導体「Ni(4OPr)」を用いて、単一材料...
1702地球物理及び地球化学 日本の“火山活動の最盛期”の起源を解明～大規模カルデラ噴火が集中する「イグニンブライト・フレアアップ」が白亜紀の日本列島で発生した理由～
2025-09-03 産業技術総合研究所産総研と東京大学の研究チームは、日本列島と朝鮮半島に分布する白亜紀～古第三紀の火成岩のSr・Nd同位体データを統合解析し、日本列島で約9,000万～6,000万年前に発生した大規模カルデラ噴火集中現象...
1700応用理学一般 量子情報流を活用した「マクスウェルのデーモン」を実現～エネルギー効率に優れた量子制御の実現に向けて～
2025-08-28 東京大学東京大学とハーバード大学の研究チームは、シリコン空孔中心の電子スピン量子ビットに対して反復的な測定と高速フィードバック制御を行い、量子情報の「流れ」を活用して熱力学的エントロピーを減少させる「マクスウェルのデー...
0403電子応用 光学メタサーフェスを用いた空間・偏波ビーム多重器を実証～任意の直交ベクトルモード基底の変換を実現～
2025-08-26 東京大学東京大学の研究チームは、光学メタサーフェスを用いた小型多入力多出力ベクトルビーム変換器を実証しました。従来は複数の光学素子を組み合わせる必要があった空間モードや偏波モードの多重化・分離を、厚さ0.6mm・面積0...
0501セラミックス及び無機化学製品 世界初！白金酸化物で新規層状物質群を創出～計算支援による高圧物質開発の革新～
2025-08-22 大阪大学,東京大学大阪大学と東京大学の研究チームは、白金酸化物で世界初となるルチル型構造を母体とした新規層状ホモロガス系列 Na(PtO₂)₂n+1（n=1,2） の合成に成功しました。白金は化学的に不活性で酸化物開拓...
1701物理及び化学 誕生直後の銀河は予想以上に粒々だった〜「宇宙ぶどう」が破った銀河誕生の常識〜
2025-08-07 東京大学東京大学などの国際研究チームは、ビッグバンから約9億年後の暗く若い回転銀河が、少なくとも15個以上のコンパクトな星団で構成された「ぶどうの房」のような粒状構造を持つことを、JWSTとアルマ望遠鏡、重力レンズ効果...
0403電子応用 スパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜の作製に成功 ～成長温度の系統的変化が構造特性と電気特性に及ぼす影響を解明～
2025-08-08 東京理科大学,住友電気工業株式会社,東京大学東京理科大学、住友電気工業、東京大学の共同研究チームは、産業的に汎用性の高いスパッタ法で高品質な窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜の作製に成功しました。成長温度を...