0403電子応用 6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発
―鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネ化に貢献― 2018-01-31 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 NEDOプロジェクトにおいて、三菱電機（株）は、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により、従...
0403電子応用
0403電子応用 
0403電子応用 たった1個の電子で1ビットを表現する世界初のデジタル変調を実現
－広い周波数範囲で正確に任意波形の極微小交流電流を発生可能に－ 2018-02-02 産総研 ポイント 電流の最小単位である電子1個でオン・オフを表現するデジタル変調技術を開発 ナノ加工技術で作製した単一電子素子を用いて電子を1個ずつ制御 ...
0403電子応用 厚さわずか数分子、2次元有機単結晶ナノシートの大面積成膜に成功
有機半導体インクを用いた簡便な印刷技術によって、わずか数分子層の厚みからなる大面積2次元有機単結晶ナノシートを製膜するプロセスを開発し、同ナノシートを用いた有機電界効果トランジスタにおいて、世界最高レベルの応答周波数を達成。
0403電子応用 光子・粒子・電磁波用超伝導検出器の画素数を飛躍的に増大する読出回路
超伝導検出器に関し、1本の読出線上に従来の5倍となる1000画素以上の信号を載せることができる技術を開発した。
0403電子応用 薄膜トランジスタアレイの検査技術を大幅に高速・大面積化
－印刷法で製造したディスプレーなどの駆動回路の非破壊インライン検査が可能に－2018/1/15産総研 薄膜トランジスタ（TFT）アレイの駆動状態を光学イメージ化して非破壊で一括検査する技術を大幅に改良 ディスプレーなど情報出力機器のTFTと...
0403電子応用 高温で安定化する新しいダイヤモンド量子発光体の作製に成功
～量子ネットワークへの応用に期待～ 2017-12-26 東京工業大学,科学技術振興機構（ＪＳＴ） ポイント ダイヤモンド結晶内でスズ（Ｓｎ）と空孔（Ｖ）からなるＳｎＶカラーセンターを発見。 ２０００℃を超える高温高圧条件で加熱処理すること...
0403電子応用 シリコン量子ドット構造で超高精度量子ビットを実現
～産業集積化に適したシリコン量子コンピューター開発を加速～ 2017-12-19 科学技術振興機構（ＪＳＴ）,理化学研究所,東京大学,東京工業大学,慶應義塾大学 固体中で、電子スピンの量子演算速度と情報保持時間を高水準で両立する手法を実証。...
0403電子応用 プラスチックに数層の分子配向膜を形成
～基板を選ばず分子配向膜を形成できるため、フレキシブルエレクトロニクスへの応用に期待～ 2017-12-19 東京大学,東京工業大学,科学技術振興機構（ＪＳＴ）,理化学研究所,大阪大学 ポイント 従来の技術では困難であったプラスチックなどの...
0403電子応用 高効率な電圧スピン制御：磁気メモリー用材料を開発
～低消費電力の電圧制御型磁気メモリーの実用化に前進～ 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】電圧スピントロニクスチーム 野﨑 隆行 研究チ...
0403電子応用 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発
発表・掲載日：2017/12/05 産総研 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 －ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－ ポイント 1200 V耐...
0403電子応用 磁壁におけるトポロジカル電流を観測
～省エネルギースピントロニクスデバイスの基礎原理を実証～ 2017-12-8 理化学研究所,東京大学,東北大学 金属材料研究所,科学技術振興機構（ＪＳＴ） 理化学研究所（理研）創発物性科学研究センター 強相関物性研究グループの安田 憲司 研...
0403電子応用 垂れ幕にも動画、デジタルサイネージの新時代へ
高性能有機半導体でＬＥＤディスプレイのアクティブ駆動に成功 平成２９年１２月８日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） パイクリスタル株式会社 株式会社オルガノサーキット ポイント イベント会場やパブリックスペースなど大型・軽量・低コストのサイネージ...