0403電子応用

有機トランジスタを使った多値論理演算回路の開発に成功 0403電子応用

有機トランジスタを使った多値論理演算回路の開発に成功

フレキシブルエレクトロニクスの高性能化に期待 2018/07/02 物質・材料研究機構 NIMSは、2種類の異なる有機トランジスタを組み合わせることで、3つの値をスイッチできる多値論理演算回路の開発に成功しました。 概要 物質・材料研究機構...
ありふれた元素で高性能な窒化物半導体を開発 0403電子応用

ありふれた元素で高性能な窒化物半導体を開発

希少元素を含まない窒化銅 (Cu3N) を使って、p型とn型の両方で高い伝導キャリア移動度を示す半導体を開発した。
半導体中のマイクロメートルスケールの電荷分布を可視化 0403電子応用

半導体中のマイクロメートルスケールの電荷分布を可視化

多結晶性半導体中の結晶粒界付近で電荷が不均一に分布する様子や、結晶粒界が電気伝導を阻害する様子を可視化できた。
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面積世界最大のフィルム型ペロブスカイト太陽電池モジュールを開発 0403電子応用

面積世界最大のフィルム型ペロブスカイト太陽電池モジュールを開発

セルの大面積化と高効率化を実現する、モジュール面積703cm2(世界最大)で、エネルギー変換効率11.7%のフィルム型ペロブスカイト太陽電池モジュールを開発した。
隣り合わないスピン量子ビット間の量子もつれ生成に成功 0403電子応用

隣り合わないスピン量子ビット間の量子もつれ生成に成功

3つの電子スピン量子ビットを擁する半導体量子ドットデバイスにおいて、隣り合わない(非隣接)量子ビット間に「量子もつれ状態」を生成・観測することに成功した。
電子伝導性配位構造体を用いたエネルギー貯蔵機構の発見 0403電子応用

電子伝導性配位構造体を用いたエネルギー貯蔵機構の発見

2015/05/31 物質・材料研究機構 東京大学 理化学研究所 京都工芸繊維大学 NIMSと東京大学、理化学研究所、京都工芸繊維大学による研究チームは、結晶構造を自在に制御できる電子伝導性配位構造体が、蓄電池の電極材料として有望であること...
スキルミオン結晶の崩壊と再結晶化を直接観察 0403電子応用

スキルミオン結晶の崩壊と再結晶化を直接観察

直径約1万分の1ミリサイズの磁気渦「スキルミオン」の熱力学的非平衡状態を、ローレンツ電子顕微鏡を用いて直接観察することに成功した。
スピン流スイッチの動作原理を発見・実証 0403電子応用

スピン流スイッチの動作原理を発見・実証

スピントロニクスを利用したデバイスは、高速かつ不揮発なメモリーや、超高密度なハードディスクとして身近になりつつある。スピン流の流れやすさを制御するスピン流スイッチの原理を発見・実証した。
光による量子コンピューターの実現に大きく迫る手法を開発 0403電子応用

光による量子コンピューターの実現に大きく迫る手法を開発

量子ビットの誤り耐性を最大限引き出す方法とノイズに強い量子ビットの配列法により、現在の技術レベルでも量子コンピューターを実現できる方法を開発。
レアアース系酸化物超伝導線の超伝導はんだによる接合に成功 0403電子応用

レアアース系酸化物超伝導線の超伝導はんだによる接合に成功

優れた超伝導特性を持つレアアース系酸化物超伝導線材を、超伝導はんだで接合し超伝導状態を保ったまま通電することに初めて成功した。
非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出できる技術を開発 0403電子応用

非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出できる技術を開発

ラマンマッピング像から窒化ガリウム(GaN)半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発した。
テルル化鉛熱電変換材料の新形成法を確立、約2倍の熱電変換性能を実現 0403電子応用

テルル化鉛熱電変換材料の新形成法を確立、約2倍の熱電変換性能を実現

テルル化鉛(PbTe)熱電変換材料にゲルマニウム(Ge)を添加した新しいナノ構造形成法を確立し、従来材料と比べて、約2倍の熱電変換性能を実現した。
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