0403電子応用 強誘電体薄膜の大面積評価を可能に～強誘電体デバイスの実用化を加速～
2020-11-05 産業技術総合研究所ポイント 強誘電体をメモリーや不揮発ゲートトランジスタとしてデバイスの設計に応用するためには、薄膜化だけでなく、薄膜試料の分極の向きや大きさなどの分極ベクトル情報を評価することが重要な課題です。 今回...
0403電子応用
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0403電子応用 量子コンピューティングの限界を押し広げる新検出器開発のブレイクスルー
(New detector breakthrough pushes boundaries of quantum computing)2020/9/30 フィンランド・アールト大学・ アールト大学とフィンランド技術研究センター(VTT)が、量...
0403電子応用 世界最小の超音波検出器を開発
(“Honey, I shrunk the detector”: Researchers have developed the world’s smallest ultrasound detector)2020/9/16 ﾄﾞｲﾂ連邦共和国...
0403電子応用 世界最小クラスの接触抵抗を示す電子輸送性有機半導体を開発
2020-10-22 産業技術総合研究所発表のポイント 「固くて柔らかい」フェニルアルキル側鎖を導入することで、真空蒸着法および印刷法のいずれでも高性能の薄膜を成膜できる電子輸送性有機半導体材料の開発に成功しました。 パイ電子共役骨格とフェ...
0402電気応用 よりパワフルなチップを実現するトランジスタ組込冷却システム
(Transistor-integrated cooling for a more powerful chip)2020/9/10 スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)(ローザンヌ工科大学)・ EPFL が、チップ内にトランジスタとマ...
0403電子応用 6G ワイヤレス通信のテラヘルツレシーバ
（Terahertz Receiver for 6G Wireless Communications）2020/9/8 ﾄﾞｲﾂ連邦共和国・カールスルーエ工科大学(KIT)・ KIT の Institute of Photonics and...
0403電子応用 塗布で作ったトランジスタがスイッチング特性の理論限界に迫る
半導体界面構築にシャボン膜メカニズムを活用し実現2020-10-08 東京大学,科学技術振興機構ポイント 液体を強くはじくフッ素樹脂の表面上に、半導体結晶を高均質に塗布製膜できる新技術を開発。 棒状の有機半導体分子が、半導体溶液による液膜表...
0403電子応用 光ベースチップの小型化でブレイクスルーを達成
（Photonics researchers report breakthrough in miniaturizing light-based chips）2020/8/27 ｱﾒﾘｶ合衆国・ロチェスター大学・ ロチェスター大学が、高速作動...
0403電子応用 明るく小さな光：NIST がさらに優れたナノスケールの LED を開発
(A Light Bright and Tiny: NIST Scientists Build a Better Nanoscale LED)2020/8/14 ｱﾒﾘｶ合衆国･国立標準技術研究所(NIST)・ NIST、メリーランド大学、...
0403電子応用 光で窒化シリコン薄膜の熱伝導率を倍増 ～半導体デバイスの高性能化につながる新たな放熱機構～
2020-10-01 東京大学ポイント 高集積化の進んだ半導体デバイスでは、熱を運ぶフォノンが散乱されて放熱が困難になるため、高性能化に向けて新しい放熱機構や材料が求められている。 光とフォノンの混合状態である表面フォノンポラリトンを用い、...
0400電気電子一般 高い強誘電性を有する窒化物強誘電体の薄膜化に成功～低消費電力の不揮発性メモリへの応用に期待～
2020-09-19 産業技術総合研究所要点 高い強誘電性を有する窒化アルミニウムスカンジウムで、これまでよりさらに強誘電性が高い膜の作製に成功。 10万分の1ミリメートル以下の薄い窒化アルミニウムスカンジウム薄膜でも強誘電性を示すことを世...
0403電子応用 NTU と大阪大学が超高速テラヘルツワイヤレスチップを開発
(NTU Singapore and Osaka University scientists build ultra-high-speed Terahertz wireless chip)2020/8/5 シンガポール・南洋（ナンヤン）理工...