0403電子応用 トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した 次世代不揮発性メモリー ＳＯＴ－ＭＲＡＭの実証に成功
トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリー（ＳＯＴ－ＭＲＡＭ）素子の作製と、比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよびトポロジカル絶縁体による低電流密度の書き込みの実証に成功した。
0403電子応用
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0403電子応用 半導体設計に革新をもたらす人間の脳の働きに着想したメモリデバイス
卓越したメモリ再構成可能度を持つ分子メムリスタ（電子メモリデバイス）を開発。同分子デバイスは人間の脳のネットワークの柔軟性や適応性を模倣し、電圧を変えるだけで様々な演算タスクに向けて臨機応変に再構築する。さらに、脳の神経細胞が記憶を蓄積するように、将来的なデータ取り出しや処理に備え情報を保持する。
0403電子応用 界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6～80倍向上
SiC（シリコンカーバイド）半導体で問題になっていた欠陥（不完全性）を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。
0403電子応用 ポリマー半導体の高性能化に向けた新たな分子デザイン手法を開発
ポリマー半導体の化学構造を少し組み替えるだけで、電荷となるπ電子が主鎖に沿って高度に非局在化し、半導体性能の一つである電荷移動度が20倍以上向上することを発見しました。
0403電子応用 ポリマー半導体トランジスターで最高のスイッチング特性を実現
ポリマー半導体による薄膜トランジスター（ＴＦＴ）のスイッチングの鋭さと安定性を決定づける要因を解明し、これを元に従来にない高急峻なスイッチング動作・高いバイアス耐性・低電圧駆動を同時に示す、実用的な塗布型ＴＦＴの構築に成功した。
0403電子応用 ヒトの目の様に錯覚する人工視覚素子を開発～ソフトウェアを用いない画像処理を可能に～
固体中のイオンの移動とイオン間の相互作用を利用して動作する人工視覚イオニクス素子を開発した。明暗の境界付近が強調される人間の目の錯視を模倣することを世界で初めて実証した。
0403電子応用 量子コンピューター設計の「ミッシングピース」を探る
3D誘電共振器を活用して数百万のスピン量子ビット(ｑビット）を制御する技術を開発。ワイヤによるチップスペースの使い切り、電力の大量消費や熱の発生を伴わずに数百万ｑビットの制御を可能にする量子コンピュータ－・アーキテクチャを特定。少数の q ビット制御による従来の量子プロセッサの概念実証モデル研究を超えて、量子コンピューター実現の主要な障壁の一つ克服するもの。
0403電子応用 ディスプレイに直接触れずに操作が可能な 「静電ホバータッチディスプレイ」を開発
ディスプレイに触れずに、指を浮かせた状態で操作できる「静電ホバータッチディスプレイ」を開発した。
0403電子応用 光を使って回路を操る ～フレキシブル有機電子回路の電気特性制御を実現～
光による分子構造変化を利用した有機電子回路の電気特性制御に成功した。有機電子回路の電気特性制御には複雑な構造・材料選択が必要でしたが、同一の構造・材料に対して部分的に光照射を行うだけで電気特性制御を可能にした。
0403電子応用 シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功
超伝導材料にアルミニウムを使用しない超伝導量子ビットとして、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功した。
0403電子応用 新しい情報記録・処理デバイスの開発 (Scientists Invent a New Information Storage and Processing Device)
量子材料とスピントロニクス磁気デバイスを組合せた、ナノ狭窄構造のスピントロニクスレゾネータを開発。
0403電子応用 世界初、有機半導体で「絶縁体―金属転移」を実証
極めて高純度かつ欠陥のない有機半導体単結晶の1分子層（厚さ4 nm）に高密度にキャリアを注入することで二次元ホールガスが形成され、さらに4分子当たり1電荷に相当する高密度のホールを誘起したところ、「絶縁体―金属転移」を実験的に観測することに成功した。