0403電子応用 量子コンピューター設計の「ミッシングピース」を探る
3D誘電共振器を活用して数百万のスピン量子ビット(ｑビット）を制御する技術を開発。ワイヤによるチップスペースの使い切り、電力の大量消費や熱の発生を伴わずに数百万ｑビットの制御を可能にする量子コンピュータ－・アーキテクチャを特定。少数の q ビット制御による従来の量子プロセッサの概念実証モデル研究を超えて、量子コンピューター実現の主要な障壁の一つ克服するもの。
0403電子応用
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0403電子応用 ディスプレイに直接触れずに操作が可能な 「静電ホバータッチディスプレイ」を開発
ディスプレイに触れずに、指を浮かせた状態で操作できる「静電ホバータッチディスプレイ」を開発した。
0403電子応用 光を使って回路を操る ～フレキシブル有機電子回路の電気特性制御を実現～
光による分子構造変化を利用した有機電子回路の電気特性制御に成功した。有機電子回路の電気特性制御には複雑な構造・材料選択が必要でしたが、同一の構造・材料に対して部分的に光照射を行うだけで電気特性制御を可能にした。
0403電子応用 シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功
超伝導材料にアルミニウムを使用しない超伝導量子ビットとして、シリコン基板上のエピタキシャル成長を用いた窒化物超伝導量子ビットの開発に成功した。
0403電子応用 新しい情報記録・処理デバイスの開発 (Scientists Invent a New Information Storage and Processing Device)
量子材料とスピントロニクス磁気デバイスを組合せた、ナノ狭窄構造のスピントロニクスレゾネータを開発。
0403電子応用 世界初、有機半導体で「絶縁体―金属転移」を実証
極めて高純度かつ欠陥のない有機半導体単結晶の1分子層（厚さ4 nm）に高密度にキャリアを注入することで二次元ホールガスが形成され、さらに4分子当たり1電荷に相当する高密度のホールを誘起したところ、「絶縁体―金属転移」を実験的に観測することに成功した。
0403電子応用 ポスト5 G・6 Gの材料開発に向け、誘電体基板の温度特性を計測する技術を確立
高周波回路などに使われる金属張の誘電体基板に対し、誘電率と導電率の温度特性を10 GHz～100 GHz超の超広帯域で計測する技術を確立した。温度制御を可能にした超広帯域動作の共振器を開発することにより、これまで未確立であった、室温から100 ℃までの温度域での超広帯域のミリ波帯材料計測を実現した。
0403電子応用 微小な熱流によるナノスケールスキルミオンの駆動に成功
絶縁体中の直径約60ナノメートルの磁気渦「スキルミオン」のクラスターを微小な熱流によって駆動させることに成功した。廃熱を利用するグリーン情報技術への応用に向けた電子デバイスの開発につながるものと期待。
0403電子応用 スマホやロボットなどで高効率なAI処理を行うプロセッサーアーキテクチャーを開発
スマートフォンにおける先進的な拡張現実（AR）アプリケーションやロボットにおける柔軟な動作制御など、電力供給量などの制約が厳しいエッジ機器でも、高効率な畳み込みニューラルネットワーク（CNN）推論処理を行うプロセッサーアーキテクチャーを開発し、大規模集積回路（LSI）を試作した。高度なリアルタイムAI処理の単独での実行が期待できる。
0403電子応用 SiCパワーデバイス「TED-MOS®」の物理モデルに基づく高自由度設計技術を開発
デバイスが短絡した際の破壊原因となる過電流について、その抑制機構に関する物理モデルを構築した。さらに本物理モデルに基づき、「TED-MOS®」の構造的特長を生かした高自由度なデバイス設計技術を開発した。
0403電子応用 固体表面上の酸素原子を高分解能2次元NMRで測定する技術を開発
金属酸化物の固体表面解析に必須の動的核偏極核磁気共鳴法（DNP−NMR）で高速・高分解能なスペクトルを得ることができる測定技術（新型パルスプログラム）を開発した。これにより固体表面上に存在する酸素原子のNMRスペクトルをより高分解能で、かつ1時間という短時間で測定することに成功した。
0403電子応用 創発インダクタの室温動作を実証 ～インダクタ素子の微細化に向けた飛躍～
「創発電磁場」と呼ばれるナノ磁気構造がもたらす巨大な実効電磁場を利用した「創発インダクタ」の室温動作に成功した。創発インダクタの応用化に向けて課題となっていた動作温度の飛躍的な向上を実現したもので、身の回りの電気機器に必要な素子の1つであるインダクタの微細化につながることが期待できる。