0403電子応用 キラー欠陥を従来の10分の1に低減した第3世代酸化ガリウム100mmエピウエハーの開発に成功
100A級酸化ガリウムパワーデバイスの実現が可能に2022-03-14 新エネルギー・産業技術総合開発,株式会社ノベルクリスタルテクノロジー,佐賀大学NEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」において「β-Ga2O3ショットキーバリ...
0403電子応用
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0403電子応用 私の糸を鳴らしてください。シリコンナノストリングを作る(Ring my string: Building silicon nano-strings)
2022-03-22 スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）トビアス・J・キッペンベルク教授率いるドイツ連邦工科大学の研究者たちは、このたび、電子デバイスに普遍的に使用され、低温での機械的エネルギー損失が極めて小さいことで知られる水晶発...
0403電子応用 有機トランジスタの集積課題を克服～複数の論理演算回路を単一素子で実現～
アンチ・アンバイポーラトランジスタと呼ばれる特殊な有機トランジスタを用い、5つの2入力論理演算回路 (AND, OR, NAND, NOR, XOR) を単一トランジスタで実証することに成功しました。2つの入力電圧を調整することで種々の論理演算回路を電気的に切り替えられるため、再構成可能な論理演算回路として利用できます。
0403電子応用 巧みな分子設計でn型ポリマー半導体の移動度を従来の5倍以上に向上
ポリマー半導体に高い電子受容性と秩序高い配列構造をもたらす新しいπ電子系骨格を開発した。開発したポリマー半導体は、ベンチマークポリマー半導体に比べて５倍以上高い電子移動度を示した。
0403電子応用 革新的な新しい方法で明らかにされた驚くべき半導体特性(Surprising Semiconductor Properties Revealed with Innovative New Method)
半導体の特性における不純物酸素の役割を発見Discovery reveals role of oxygen impurities in semiconductor properties2022-03-01 パシフィックノースウェスト国立研究...
0403電子応用 トランジスタの欠陥を検出する技術を復活させ、改良を加えた(NIST Researchers Resurrect and Improve a Technique for Detecting Transistor Defects)
2022-02-03 米国国立標準技術研究所（NIST）従来の手法に新たな息吹を吹き込み、電流測定の新たな基準となる可能性があります。米国国立標準技術研究所（NIST）の研究者たちは、スマートフォンやコンピュータなど現代の電子機器の構成要素...
0403電子応用 超微弱な光を検出する皮膚のようにストレッチャブルでソフトな半導体(Soft Semiconductors that Stretch Like Human Skin Can Detect Ultra-low Light Levels)
人間の皮膚のような伸縮性と柔軟性を持つ半導体材料による、高感度有機フォトダイオードを開発。屋内照明の電球光の約 1 億分の 1 レベルの極微弱光の検出に必要な電気性能の半導体に伸縮性を付与。光照射で電気を発生する柔軟な材料開発に最も適合した化合物の組合せを同定し、エラストマー、ドナーの合成ポリマーとアクセプター分子のバルクヘテロ接合によるフォトダイオードを作製した。
0403電子応用 高感度・広帯域計測が可能な低消費電力磁気センサーを開発
愛知製鋼開発の磁気インピーダンス素子「MI素子」に向けた計測用の 特定用途向け集積回路「ASIC」を独自設計し、低ノイズ、広帯域な磁気センサーを開発した。本ASICは、従来のフラックスゲート型磁気センサーと比較して、消費電力や磁場の検出性能も含めた指標である正規化エネルギーは1000倍改善された。正規化エネルギーの低い集積化フラックスゲート型磁気センサーと比較して1/100の低ノイズ化を達成した。
0403電子応用 弱い磁場で生成・制御可能な磁気渦を “トポロジカル原子層サンドイッチ構造”で発見
スピンを持つマンガン原子が規則的に密に並んだ単一原子層を含むトポロジカル強磁性体Mn(Bi,Sb)2Te4を使って、トポロジカル絶縁体(Bi,Sb)2Te3原子層の上下を挟んだ“原子層サンドイッチ構造”を作製し、その電気伝導を測定しました。これまでの1/10程度の弱い磁場でトポロジカルホール効果観測され、ミクロな磁気渦（スキルミオン）が形成されていることを発見しました。
0403電子応用 フッ化物を用いた磁気メモリー素子により情報の記録保持特性を改善~脳型コンピューティング用メモリーへの適用に期待
フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用いた新構造の磁気トンネル接合素子「MTJ素子」を開発し、磁気メモリー(MRAM)の記録保持特性の指標となる垂直磁気異方性の改善に成功した。
0403電子応用 脳波を追跡して認知症を特定する量子ブレインセンサー
高感度の量子脳センサーを開発。ニューロン（神経細胞）の発火時に生成される磁場を検出し、脳の経時的な変化を測定して脳内で移動する電気信号の速度（バイオマーカー）を追跡。
0403電子応用 シリコン量子ビットで高精度なユニバーサル操作を実現～誤り耐性シリコン量子コンピュータの実現に指針～
シリコン量子ドットデバイス中の電子スピンを用いて、高精度なユニバーサル操作を実証しました。シリコン量子ドットを用いた量子コンピュータの実現における課題の一つである「量子誤り訂正」の実行に指針を与えるもので、今後の研究開発を加速させるものと期待できます。