0403電子応用

有機半導体で従来比10倍となる100cm2V-1s-1超の移動度を達成~熱振動を制御した分子設計最適化と次世代デバイス応用に期待~ 0403電子応用

有機半導体で従来比10倍となる100cm2V-1s-1超の移動度を達成~熱振動を制御した分子設計最適化と次世代デバイス応用に期待~

2025-10-02 東京大学,科学技術振興機構東京大学大学院新領域創成科学研究科の研究チームは、有機半導体材料の分子設計を最適化し、従来の約10倍となる移動度100 cm²/V·sを達成した。有機半導体は柔軟で低コストだが、熱振動による電...
レーザー技術を拡張する新研究 (New research expands laser technology) 0403電子応用

レーザー技術を拡張する新研究 (New research expands laser technology)

2025-07-11 アメリカ合衆国・イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校 (UIUC)イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校の研究チームは、室温かつ目に安全な波長で動作する埋め込み誘電体フォトニック結晶面発光レーザー(PCSEL)を世界で初...
記憶チップのエネルギー消費を大幅削減する材料の発見(Material breakthrough for energy-saving memory chips) 0403電子応用

記憶チップのエネルギー消費を大幅削減する材料の発見(Material breakthrough for energy-saving memory chips)

2025-09-26 チャルマース工科大学チャルマース工科大学の研究チームは、世界で初めて強磁性と反強磁性という二つの磁性を同時に持つ原子層材料を開発し、メモリチップの消費電力を10分の1に削減できる可能性を示しました。新素材はコバルト、鉄...
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カゴメ反強磁性体Mn3Geにおいて異常に強いマグノン-フォノン結合を直接実証(IBS Researchers Directly Demonstrate Unusually Strong Magnon-Phonon Coupling in Kagome Antiferromagnet Mn3Ge) 0403電子応用

カゴメ反強磁性体Mn3Geにおいて異常に強いマグノン-フォノン結合を直接実証(IBS Researchers Directly Demonstrate Unusually Strong Magnon-Phonon Coupling in Kagome Antiferromagnet Mn3Ge)

2025-09-22 韓国基礎科学研究院(IBS)韓国・基礎科学研究院(IBS)などの国際研究チームは、カゴメ格子反強磁性体Mn₃Geにおいて、極めて強いマグノン–フォノン結合を直接実証しました。Mn₃Geは単純な結晶構造を持つため、理論予...
室温で紫~橙色で光るp型/n型半導体を実現~スピネル型硫化物を基盤とした独自の化学設計指針~ 0403電子応用

室温で紫~橙色で光るp型/n型半導体を実現~スピネル型硫化物を基盤とした独自の化学設計指針~

2025-09-19 東京科学大学東京科学大学の研究チームは、スピネル型硫化物 (Zn,Mg)Sc₂S₄ を基盤に、室温で紫~橙色に発光し、かつ p型/n型の両方に制御可能な半導体 を実現した。独自の化学設計指針により、従来光・電子機能とは...
ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調~スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道~ 0403電子応用

ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調~スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道~

2025-09-19 大阪大学,慶應義塾大学,名古屋大学,京都工芸繊維大学,科学技術振興機構慶應義塾大学・大阪大学・名古屋大学・京都工芸繊維大学などの共同研究チームは、ハーフメタル材料Co₂FeSiと圧電体LiNbO₃を組み合わせたエピタキ...
有機半導体によるUHF帯整流ダイオードの開発~GHz駆動を可能にする有機エレクトロニクスの新展開~ 0403電子応用

有機半導体によるUHF帯整流ダイオードの開発~GHz駆動を可能にする有機エレクトロニクスの新展開~

2025-09-20 東京大学,物質・材料研究機構,岡山大学,科学技術振興機構Web要約 の発言:東京大学新領域創成科学研究科の研究チームは、有機半導体を用いたUHF帯(300 MHz~3 GHz)整流ダイオードを開発した。従来の有機半導体...
ナノスイッチが初めて実現した、電荷を持たない量子情報キャリアの指向性・ゲート制御フロー(Nano-switch achieves first directed, gated flow of chargeless quantum information carriers) 0403電子応用

ナノスイッチが初めて実現した、電荷を持たない量子情報キャリアの指向性・ゲート制御フロー(Nano-switch achieves first directed, gated flow of chargeless quantum information carriers)

2025-09-11 ミシガン大学ミシガン大学の研究チームは、電荷を持たない量子準粒子「エキシトン」の流れを室温で方向制御かつゲート操作できるナノスイッチを世界で初めて実証した。エキシトンは電子と正孔の対で、電流のように電荷を運ばないため抵...
極限環境に耐える新型量子センサーを開発(New quantum sensors can withstand extreme pressure) 0403電子応用

極限環境に耐える新型量子センサーを開発(New quantum sensors can withstand extreme pressure)

2025-09-12 ワシントン大学セントルイス校ワシントン大学セントルイス校の研究チームは、結晶化ホウ素窒化物の極薄シートに欠陥を導入し、超高圧下でも壊れない量子センサーを開発した。このセンサーは大気圧の3万倍以上の圧力環境で、応力や磁場...
小型マイクロチップ開発のための新材料(New Methods for Smaller Microchips) 0403電子応用

小型マイクロチップ開発のための新材料(New Methods for Smaller Microchips)

2025-09-12 ジョンズ・ホプキンス大学ジョンズ・ホプキンス大学の研究チームは、これまで半導体製造に使われていなかった金属有機材料をシリコンウエハーにコーティングし、高度なレーザーを用いて化学反応を誘発する新手法を開発した。これにより...
世界最速・低コスト・高効率のSiCパワーモジュールを構築(NREL Researchers Construct World’s Fastest, Low-Cost, Ultraefficient Silicon Carbide Power Module) 0403電子応用

世界最速・低コスト・高効率のSiCパワーモジュールを構築(NREL Researchers Construct World’s Fastest, Low-Cost, Ultraefficient Silicon Carbide Power Module)

2025-09-10 米国国立再生可能エネルギー研究所(NREL)Web要約 の発言:米国エネルギー省の国立再生可能エネルギー研究所(NREL)は、世界最速かつ低コストで超高効率のシリコンカーバイド(SiC)電力モジュール「ULIS(Ult...
強誘電体酸化物の巨大抵抗変化を利用して脳型素子を実現~強誘電体の電気分極を用いてシナプスの機能を模倣する~ 0403電子応用

強誘電体酸化物の巨大抵抗変化を利用して脳型素子を実現~強誘電体の電気分極を用いてシナプスの機能を模倣する~

2025-09-09 東京大学東京大学の研究グループは、強誘電体チタン酸鉛(PbTiO₃)の高品質単結晶薄膜に酸素欠損を導入し、巨大な抵抗変化を示す新型メモリスタ素子を開発した。従来のPbTiO₃は絶縁性が強く電流が流れにくいが、欠損導入に...
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