0403電子応用 オングストローム世代半導体製造技術での 磁気抵抗メモリー基盤技術を確立
高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（ＳＴＴ－ＭＲＡＭの情報記憶素子）の構造を提案し、５ナノメートル以下の直径を持つＭＴＪ素子で３．５ナノ秒までの高速書き込み動作を実証しました。これは、ＳＴＴ－ＭＲＡＭが将来のオングストローム世代半導体製造技術でのＳＲＡＭや高速ＤＲＡＭの代替として使えることを示す重要な成果です。
0403電子応用
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0403電子応用 GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証
ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、ハイブリッド型トランジスタの作製および動作実証に世界で初めて成功した。GaNとSiCのデバイス試作を両立できる独自の一貫製造プロセスラインの構築によって、ハイブリッド型トランジスタの実現に至った。試作したハイブリッド型トランジスタは、GaNの特長である低いオン抵抗およびSiCダイオードで実績のある非破壊降伏の両立を実現した。
0403電子応用 紙のように自由に折り曲げられる超薄膜量子ドット LED (Ultrathin quantum dot LED that can be folded freely as paper)
折り紙のように折り曲げることで任意の 3D 構造に構築できる、量子ドット発光ダイオード(QLED)を開発。
0403電子応用 3D プリントであつらえる充電不要のワイヤレスウェアラブル
新タイプの医療用ウェアラブルデバイスの「biosymbiotic device」をカスタム作製する 3D プリント技術を開発。着用者の身体の 3D スキャンデータ等を基に 3D プリントで作製する新ウェアラブルデバイスでは、数メートル範囲のワイヤレス給電と小型のエネルギー貯蔵ユニットにより継続運転が可能な全く新しいコンセプトを提供する。
0403電子応用 室温で単一スキルミオンの電流駆動に成功 ～スキルミオンの電子デバイスへの応用に期待～
室温で単一の「スキルミオン」を電流によって駆動することに成功し、その動的な振る舞いを観察しました。スキルミオンを用いた電子デバイスへの応用研究に寄与するものと期待できます。
0403電子応用 100兆回の書込みを保証する8MビットFRAMを開発
FRAM製品では初めてとなる100兆回の書込み回数を保証した製品として、パラレルインターフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始しました。本製品は、当社従来品よりもアクセススピードを約30%高速化するとともに、動作電流を10%削減しており、高速動作と低消費電力を両立させた不揮発性メモリです。これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に最適なメモリです。
0403電子応用 均整のとれたレンガ塀構造を持つ有機半導体を開発～優れた電荷移動特性を理論的、実験的に証明～
電子輸送性（n型）有機半導体分子を均等なレンガ塀様式に整列させ、高移動度有機トランジスタに適したフレームワークを構築することに成功しました。
0403電子応用 高エネルギー分解能LaB6ナノワイヤ電界放出型電子銃の開発
収差補正透過電子顕微鏡に搭載可能なLaB6ナノワイヤ電界放出型電子銃の開発を行い、高いエネルギー分解能と高い電流安定度で原子分解能の像観察を実現しました。
0403電子応用 トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した 次世代不揮発性メモリー ＳＯＴ－ＭＲＡＭの実証に成功
トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリー（ＳＯＴ－ＭＲＡＭ）素子の作製と、比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよびトポロジカル絶縁体による低電流密度の書き込みの実証に成功した。
0403電子応用 半導体設計に革新をもたらす人間の脳の働きに着想したメモリデバイス
卓越したメモリ再構成可能度を持つ分子メムリスタ（電子メモリデバイス）を開発。同分子デバイスは人間の脳のネットワークの柔軟性や適応性を模倣し、電圧を変えるだけで様々な演算タスクに向けて臨機応変に再構築する。さらに、脳の神経細胞が記憶を蓄積するように、将来的なデータ取り出しや処理に備え情報を保持する。
0403電子応用 界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6～80倍向上
SiC（シリコンカーバイド）半導体で問題になっていた欠陥（不完全性）を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。
0403電子応用 ポリマー半導体の高性能化に向けた新たな分子デザイン手法を開発
ポリマー半導体の化学構造を少し組み替えるだけで、電荷となるπ電子が主鎖に沿って高度に非局在化し、半導体性能の一つである電荷移動度が20倍以上向上することを発見しました。