0403電子応用 量子効果で１０倍以上の磁気熱電効果を室温で実現
これまで知られていた最高値の１０倍以上大きな磁気熱電効果（異常ネルンスト効果）を室温で示す材料を世界で初めて発見した。この巨大異常ネルンスト効果の背景には電子構造のトポロジーが関係しており、全く新しい量子効果に基づいている。
0403電子応用
0403電子応用 
0403電子応用 磁性半導体の磁気単極子による電子の伝導制御～新たなスピントロニクス機能に道筋～
「磁性半導体」チタン酸ユーロピウム（EuTiO3）の高品質単結晶薄膜を作製し、通常は磁化に比例する異常ホール効果の値が、磁化に伴ってさまざまな値をとることを見いだした。新たなスピントロニクス機能に結びつくと期待される。
0403電子応用 励起子生成効率１００％以上を実現するＯＬＥＤの原理実証に成功
高強度近赤外ＯＬＥＤの実現に道2018/07/05 九州大学 科学技術振興機構（ＪＳＴ）ポイント ＯＬＥＤにおいて、一重項励起子開裂を経て生成された三重項励起子を、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）として利用可能であることを初めて実証しました...
0403電子応用 分子ナノ構造を制御してHOMOとLUMOの軌道分裂の直接観測に成功
有機半導体のホールが流れる最高被占軌道HOMOと電子が流れる最低空軌道LUMOの分子軌道の分裂を観測することに成功した。
0403電子応用 有機トランジスタを使った多値論理演算回路の開発に成功
フレキシブルエレクトロニクスの高性能化に期待2018-07-02 物質・材料研究機構NIMSは、2種類の異なる有機トランジスタを組み合わせることで、3つの値をスイッチできる多値論理演算回路の開発に成功しました。概要 物質・材料研究機構 (以...
0403電子応用 半導体中のマイクロメートルスケールの電荷分布を可視化
多結晶性半導体中の結晶粒界付近で電荷が不均一に分布する様子や、結晶粒界が電気伝導を阻害する様子を可視化できた。
0403電子応用 SiCパワー半導体技術を用いた高出力高安定化電源の開発
次世代のパワー半導体デバイスである「SiC MOSFET」を用いて、高出力と高い安定性を両立しつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変えられるコンパクトなパルス電源を開発した。
0403電子応用 隣り合わないスピン量子ビット間の量子もつれ生成に成功
３つの電子スピン量子ビットを擁する半導体量子ドットデバイスにおいて、隣り合わない（非隣接）量子ビット間に「量子もつれ状態」を生成・観測することに成功した。
0403電子応用 スピン流スイッチの動作原理を発見・実証
スピントロニクスを利用したデバイスは、高速かつ不揮発なメモリーや、超高密度なハードディスクとして身近になりつつある。スピン流の流れやすさを制御するスピン流スイッチの原理を発見・実証した。
0403電子応用 非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出できる技術を開発
ラマンマッピング像から窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発した。
0403電子応用 トポロジカル母物質のキャリア制御に成功
非散逸なトポロジカル伝導現象の低消費電力エレクトロニクスへの応用に向けて2018-05-19 東京大学 理化学研究所 科学技術振興機構（ＪＳＴ）ポイント トポロジカル物質の母物質にあたるトポロジカル半金属について、化学置換と電界効果によるキ...
0403電子応用 トポロジカルな量子バレー流を観測
高移動度グラフェン超格子デバイスの作製により成功 量子エレクトロニクスへの展開に期待2018-05-19 国立研究開発法人 物質・材料研究機構 国立大学法人 群馬大学NIMSと群馬大学は、高い移動度を持つグラフェン超格子デバイスを作製し、ト...