0403電子応用 大面積有機半導体単結晶を用いた高感度の歪みセンサーを開発
有機半導体の表面に選択的に形成された二次元電子系が鍵2020-12-21 産業技術総合研究所発表のポイント 有機半導体単結晶膜は簡便な印刷法を用いて大量製造が可能であり、実用化に必要な高い移動度を有しています。しかし、分子が弱い相互作用で集...
0403電子応用
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0403電子応用 窒化ガリウムでＭＥＭＳ振動子を開発 ～５Ｇ通信向けの高集積発振器に期待～
2020-12-14 科学技術振興機構ポイント 第５世代移動通信システム（５Ｇ）に求められる高精度な同期を実現する高性能な周波数基準発振器として、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）発振器が期待されている。 シリコン系ＭＥＭＳ振動子は高温下で品...
0403電子応用 毒性元素を含まない直接遷移型の近赤外線向け半導体を発見
テルル化カドミウム水銀、ヒ化ガリウムを代替する近赤外線用素子実現への期待2020-12-11 物質・材料研究機構,東京工業大学 元素戦略研究センターNIMSは東京工業大学と共同で、安価で毒性の無いカルシウム、シリコン、酸素から構成される「C...
0403電子応用 2nm世代向けの新構造トランジスタの開発
積層型のSi/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタによる大幅な集積化向上2020-12-08 産業技術総合研究所ポイント 日本-台湾半導体研究開発拠点の国際連携により2nm世代向けのSi/Ge異種チャネル集積プラットフォームを構築 S...
0403電子応用 世界最小磁気トンネル接合素子の高性能動作を実証
超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリー開発を加速2020-12-07 東北大学,科学技術振興機構ポイント 直径がわずか原子１０個程度（２．３ナノメートル）の世界最小高性能磁気トンネル接合素子を開発 車載応用可能な１５０度でも高いデータ...
0403電子応用 両面ゲートIGBTにて６２%のスイッチング損失低減に成功
2020-12-06 東京大学○添付資料：シリコンウェハに試作された両面ゲートIGBTチップ。後ろの鏡には、裏面のパターンが確認できる。○発表者：更屋 拓哉（東京大学 生産技術研究所 助手）平本 俊郎（東京大学 生産技術研究所 教授）○発表...
0403電子応用 エレクトロニクスの微細化を促進する単一分子スイッチ
（Researchers Create a Single-Molecule Switch ? a Step Toward Ever-Smaller Electronics）2020/10/12 ｱﾒﾘｶ合衆国・イェール大学・ イェール大学、...
0403電子応用 簡単に作れて空気で充電する超低電力エレクトロニクス
(Easy-to-make, ultra-low power electronics could charge out of thin air)2020/10/13 英国・ケンブリッジ大学・ ケンブリッジ大学、中国・東吾大学、中国科学院、上...
0403電子応用 熱を使わずに皮膚に直接印刷するウェアラブルセンサー
(Engineers print wearable sensors directly on skin without heat)2020/10/9 ｱﾒﾘｶ合衆国･ペンシルベニア州立大学(PennState)・ PennState が、熱を...
0403電子応用 世界初「8K対応リアルタイムVVCデコーダー」を開発
8K映像データを従来規格比約1/2に圧縮し、より容易な再生や操作を実現2020-12-04 シャープ株式会社映像符号化規格 発展の歴史シャープは、世界で初めて、新映像符号化規格であるVersatile Video Coding（以下、VVC...
0403電子応用 ジッターフリーな超短パルスな電子ビームを実証～超短パルス電子による超高速な電磁場観察～
2020-12-04 京都大学井上峻介 化学研究所助教、橋田昌樹 同特定准教授、中宮義英 同研究員、阪部周二 名誉教授の研究グループは、高強度短パルスレーザーで駆動される電子ビームを用いて、ジッターフリーな超短パルス電子源の開発に成功しまし...
0403電子応用 鉄アレイ型から四つ葉のクローバー型へ～―鉄系超伝導体に現れた電子軌道スイッチング現象を発見～
2020-12-03 東京大学研究成果のポイント◆はしご構造をもつ鉄系超伝導体において電子の軌道が入れ替わる"軌道スイッチング現象"を発見◆電気の流れやすさがわずかに変わる小さな兆候を手掛かりに、磁場や歪みを制御することでこれまでの鉄系超伝...