0403電子応用

量子干渉の原子レベル制御に成功(Researchers Achieve Atomic-scale Control of Quantum Interference) 0403電子応用

量子干渉の原子レベル制御に成功(Researchers Achieve Atomic-scale Control of Quantum Interference)

2025-10-13 中国科学院(CAS)中国科学院物理研究所の楊凱教授らは、単一原子スピンにおける量子干渉を全電気的に制御することに成功した。電子スピン共鳴走査トンネル顕微鏡(ESR-STM)を用い、電場によってスピンを反交差点へ高速駆動...
スパッタリングにより成膜された磁性絶縁体の電流誘起磁化反転に成功~情報機器を大幅に省エネルギー化する技術開発を加速~ 0403電子応用

スパッタリングにより成膜された磁性絶縁体の電流誘起磁化反転に成功~情報機器を大幅に省エネルギー化する技術開発を加速~

2025-10-10 九州大学九州大学の研究チームは、スパッタリング法で作製した磁性絶縁体「Y₃Fe₅O₁₂(YIG)」薄膜において、電流による磁化反転を世界で初めて実証した。これまで磁化制御には金属強磁性体が用いられていたが、絶縁体での成...
キラルイオンゲート技術を世界初実証~分子対称性によるトポロジカル表面磁性の超省電力制御に成功~ 0403電子応用

キラルイオンゲート技術を世界初実証~分子対称性によるトポロジカル表面磁性の超省電力制御に成功~

2025-10-14 東京大学東京大学生産技術研究所の松岡秀樹特任助教・金澤直也准教授らは、キラル(左右非対称)なイオン液体を用いた「キラルイオンゲート」技術を世界で初めて実証した。トポロジカル強磁性薄膜FeSi(111)に適用し、従来の非...
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2Dフラッシュチップのブレークスルー(Breakthrough in 2D flash chip achieved) 0403電子応用

2Dフラッシュチップのブレークスルー(Breakthrough in 2D flash chip achieved)

2025-10-13 復旦大学復旦大学の研究チームは、世界初の「システム統合型2次元(2D)フラッシュチップ」を開発し、2D電子デバイス工学の重要な進展を達成した。超高速2DメモリをシリコンCMOS技術と統合し、8ビット命令・32ビット並列...
量子光のノイズを除去する分子コーティング技術を開発(Molecular coating cleans up noisy quantum light) 0403電子応用

量子光のノイズを除去する分子コーティング技術を開発(Molecular coating cleans up noisy quantum light)

2025-10-03 ノースウェスタン大学ノースウェスタン大学の研究チームは、量子通信や量子コンピュータに必要な単一光子源の純度を大幅に高める新手法を開発した。原子層半導体タングステンジセレナイド(WSe₂)を有機分子PTCDAで均一に被覆...
有機半導体で従来比10倍となる100cm2V-1s-1超の移動度を達成~熱振動を制御した分子設計最適化と次世代デバイス応用に期待~ 0403電子応用

有機半導体で従来比10倍となる100cm2V-1s-1超の移動度を達成~熱振動を制御した分子設計最適化と次世代デバイス応用に期待~

2025-10-02 東京大学,科学技術振興機構東京大学大学院新領域創成科学研究科の研究チームは、有機半導体材料の分子設計を最適化し、従来の約10倍となる移動度100 cm²/V·sを達成した。有機半導体は柔軟で低コストだが、熱振動による電...
レーザー技術を拡張する新研究 (New research expands laser technology) 0403電子応用

レーザー技術を拡張する新研究 (New research expands laser technology)

2025-07-11 アメリカ合衆国・イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校 (UIUC)イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校の研究チームは、室温かつ目に安全な波長で動作する埋め込み誘電体フォトニック結晶面発光レーザー(PCSEL)を世界で初...
記憶チップのエネルギー消費を大幅削減する材料の発見(Material breakthrough for energy-saving memory chips) 0403電子応用

記憶チップのエネルギー消費を大幅削減する材料の発見(Material breakthrough for energy-saving memory chips)

2025-09-26 チャルマース工科大学チャルマース工科大学の研究チームは、世界で初めて強磁性と反強磁性という二つの磁性を同時に持つ原子層材料を開発し、メモリチップの消費電力を10分の1に削減できる可能性を示しました。新素材はコバルト、鉄...
カゴメ反強磁性体Mn3Geにおいて異常に強いマグノン-フォノン結合を直接実証(IBS Researchers Directly Demonstrate Unusually Strong Magnon-Phonon Coupling in Kagome Antiferromagnet Mn3Ge) 0403電子応用

カゴメ反強磁性体Mn3Geにおいて異常に強いマグノン-フォノン結合を直接実証(IBS Researchers Directly Demonstrate Unusually Strong Magnon-Phonon Coupling in Kagome Antiferromagnet Mn3Ge)

2025-09-22 韓国基礎科学研究院(IBS)韓国・基礎科学研究院(IBS)などの国際研究チームは、カゴメ格子反強磁性体Mn₃Geにおいて、極めて強いマグノン–フォノン結合を直接実証しました。Mn₃Geは単純な結晶構造を持つため、理論予...
室温で紫~橙色で光るp型/n型半導体を実現~スピネル型硫化物を基盤とした独自の化学設計指針~ 0403電子応用

室温で紫~橙色で光るp型/n型半導体を実現~スピネル型硫化物を基盤とした独自の化学設計指針~

2025-09-19 東京科学大学東京科学大学の研究チームは、スピネル型硫化物 (Zn,Mg)Sc₂S₄ を基盤に、室温で紫~橙色に発光し、かつ p型/n型の両方に制御可能な半導体 を実現した。独自の化学設計指針により、従来光・電子機能とは...
ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調~スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道~ 0403電子応用

ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調~スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道~

2025-09-19 大阪大学,慶應義塾大学,名古屋大学,京都工芸繊維大学,科学技術振興機構慶應義塾大学・大阪大学・名古屋大学・京都工芸繊維大学などの共同研究チームは、ハーフメタル材料Co₂FeSiと圧電体LiNbO₃を組み合わせたエピタキ...
有機半導体によるUHF帯整流ダイオードの開発~GHz駆動を可能にする有機エレクトロニクスの新展開~ 0403電子応用

有機半導体によるUHF帯整流ダイオードの開発~GHz駆動を可能にする有機エレクトロニクスの新展開~

2025-09-20 東京大学,物質・材料研究機構,岡山大学,科学技術振興機構Web要約 の発言:東京大学新領域創成科学研究科の研究チームは、有機半導体を用いたUHF帯(300 MHz~3 GHz)整流ダイオードを開発した。従来の有機半導体...
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