0403電子応用

鉄系超伝導体を用いて強磁場下で超伝導ダイオード効果を観測~ボルテックスに由来する整流効果の仕組みを解明~ 0403電子応用

鉄系超伝導体を用いて強磁場下で超伝導ダイオード効果を観測~ボルテックスに由来する整流効果の仕組みを解明~

2025-05-14 東北大学東北大学金属材料研究所の野島勉准教授らの研究チームは、鉄系超伝導体Fe(Se,Te)を用いて、強磁場下での超伝導ダイオード効果の観測に成功しました。この効果は、電流の向きによって超伝導状態と常伝導状態が切り替わ...
先端電子機器の鍵となる微小構造の観測技術を開発(Scientists track tiny structures key to advanced electronics) 0403電子応用

先端電子機器の鍵となる微小構造の観測技術を開発(Scientists track tiny structures key to advanced electronics)

2025-05-12 オークリッジ国立研究所 (ORNL)オークリッジ国立研究所(ORNL)の研究チームは、次世代の低消費電力電子デバイスの開発に向けて、強誘電体材料内の「ドメイン壁」と呼ばれるナノスケール構造の動きを詳細に観察する新技術を...
違法薬物を即時検出する画期的な携帯型デバイス(Groundbreaking device instantly detects dangerous street drugs, offering hope for harm reduction) 0403電子応用

違法薬物を即時検出する画期的な携帯型デバイス(Groundbreaking device instantly detects dangerous street drugs, offering hope for harm reduction)

2025-05-07 バース大学バース大学の研究チームは、危険な路上薬物を即座に検出できる携帯型デバイスを開発しました。この装置は、合成オピオイドやベンゾジアゼピンなど、既存のモバイル技術では検出が難しい物質を極めて低濃度で特定できます。操...
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強誘電体の自発分極による強磁性体の保磁力の変化を確認~次世代低消費電力磁気メモリの構築へ前進~ 0403電子応用

強誘電体の自発分極による強磁性体の保磁力の変化を確認~次世代低消費電力磁気メモリの構築へ前進~

2025-05-09 東京科学大学東京科学大学の研究チームは、強誘電体AlScNと強磁性体CoFeBを積層した構造において、強誘電体の自発分極が強磁性体の保磁力に影響を与えることを確認しました。この発見は、外部電圧を必要とせずに磁気異方性を...
ポンプ誘起刺激による超狭線幅スミス・パーセル放射の発見(Prof. Fang Liu’s group publish findings on pump-induced stimulated superradiant Smith-Purcell radiation with ultra-narrow linewidth) 0403電子応用

ポンプ誘起刺激による超狭線幅スミス・パーセル放射の発見(Prof. Fang Liu’s group publish findings on pump-induced stimulated superradiant Smith-Purcell radiation with ultra-narrow linewidth)

2025-05-05 清華大学Figure 1 Pump-induced stimulated superradiant Smith-Purcell radiation (PIS-SPR) and compact device.清華大学の劉...
中性分子の偏りに関する新発見(UMass Amherst Graduate Student’s Discovery Shows that Even Neutral Molecules Take Sides) 0403電子応用

中性分子の偏りに関する新発見(UMass Amherst Graduate Student’s Discovery Shows that Even Neutral Molecules Take Sides)

2025-04-29 マサチューセッツ大学アマースト校In single-molecule electrophoresis, there is a port just big enough for a polyzwitterion (squ...
バイオエレクトロニックセンサーを飛躍的に向上させる新技術 (New method developed to dramatically enhance bioelectronic sensors) 0403電子応用

バイオエレクトロニックセンサーを飛躍的に向上させる新技術 (New method developed to dramatically enhance bioelectronic sensors)

2025-02-26 アメリカ合衆国・ライス大学Rice University graduate student Ravindra Saxena shows a lithographically patterned OECT device ...
電子皮膚が軽量ナイトビジョンメガネの実現に寄与(New electronic ‘skin’ could enable lightweight night vision glasses) 0403電子応用

電子皮膚が軽量ナイトビジョンメガネの実現に寄与(New electronic ‘skin’ could enable lightweight night vision glasses)

2025-04-23 マサチューセッツ工科大学(MIT)Credits:Photo: Adam Glanzman米MITの研究チームが、厚さわずか10ナノメートルの超薄型電子フィルム「電子スキン」を開発。このフィルムは焦電材料で構成され、冷...
「不可能な物質」の融合に成功(Scientists Merge Two “Impossible” Materials Into New Artificial Structure) 0403電子応用

「不可能な物質」の融合に成功(Scientists Merge Two “Impossible” Materials Into New Artificial Structure)

2025-04-01 ラトガース大学ラトガース大学の研究チームは、これまで不可能とされていた2種類の合成材料を融合させ、全く新しい量子構造「人工量子サンドイッチ」を作製した。この構造は、空気に触れずに成膜・解析を行う専用マシンで合成され、電...
量子技術に向けた小型・高性能共振器アレイを開発(Smaller, smarter building blocks for future quantum technology) 0403電子応用

量子技術に向けた小型・高性能共振器アレイを開発(Smaller, smarter building blocks for future quantum technology)

2025-04-17 スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)の研究チームは、次世代量子技術の基盤となる「共振器アレイ(CCA)」の新設計を開発した。高運動インダクタンスを持つニオブ窒化物(NbN...
新型フラッシュメモリーデバイスを開発(Reserachers develop flash memory device) 0403電子応用

新型フラッシュメモリーデバイスを開発(Reserachers develop flash memory device)

2025-04-17 復旦大学復旦大学の研究チームは、400ピコ秒という世界最速の書き込み速度を持つフラッシュメモリ「PoX」を開発し、『Nature』誌に発表した。この速度は1秒間に250億回の動作に相当し、従来の非揮発性メモリの限界を打...
シリコン基板上の高性能酸化物スピントロニクスデバイスを開発(Scientists Develop High-performance Oxide-based Spintronic Devices on Silicon Substrates) 0403電子応用

シリコン基板上の高性能酸化物スピントロニクスデバイスを開発(Scientists Develop High-performance Oxide-based Spintronic Devices on Silicon Substrates)

2025-04-15 中国科学院(CAS)Heterogeneous integration of single-crystal SrRuO₃ films on silicon for spin-orbit torque devices w...
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