0403電子応用 中性分子の偏りに関する新発見（UMass Amherst Graduate Student’s Discovery Shows that Even Neutral Molecules Take Sides）
2025-04-29 マサチューセッツ大学アマースト校In single-molecule electrophoresis, there is a port just big enough for a polyzwitterion (squ...
0403電子応用
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0403電子応用 バイオエレクトロニックセンサーを飛躍的に向上させる新技術 (New method developed to dramatically enhance bioelectronic sensors)
2025-02-26 アメリカ合衆国・ライス大学Rice University graduate student Ravindra Saxena shows a lithographically patterned OECT device ...
0403電子応用 電子皮膚が軽量ナイトビジョンメガネの実現に寄与（New electronic ‘skin’ could enable lightweight night vision glasses）
2025-04-23 マサチューセッツ工科大学（MIT）Credits:Photo: Adam Glanzman米MITの研究チームが、厚さわずか10ナノメートルの超薄型電子フィルム「電子スキン」を開発。このフィルムは焦電材料で構成され、冷...
0403電子応用 「不可能な物質」の融合に成功（Scientists Merge Two “Impossible” Materials Into New Artificial Structure）
2025-04-01 ラトガース大学ラトガース大学の研究チームは、これまで不可能とされていた2種類の合成材料を融合させ、全く新しい量子構造「人工量子サンドイッチ」を作製した。この構造は、空気に触れずに成膜・解析を行う専用マシンで合成され、電...
0403電子応用 量子技術に向けた小型・高性能共振器アレイを開発（Smaller, smarter building blocks for future quantum technology）
2025-04-17 スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）スイス連邦工科大学ローザンヌ校（EPFL）の研究チームは、次世代量子技術の基盤となる「共振器アレイ（CCA）」の新設計を開発した。高運動インダクタンスを持つニオブ窒化物（NbN...
0403電子応用 新型フラッシュメモリーデバイスを開発（Reserachers develop flash memory device）
2025-04-17 復旦大学復旦大学の研究チームは、400ピコ秒という世界最速の書き込み速度を持つフラッシュメモリ「PoX」を開発し、『Nature』誌に発表した。この速度は1秒間に250億回の動作に相当し、従来の非揮発性メモリの限界を打...
0403電子応用 シリコン基板上の高性能酸化物スピントロニクスデバイスを開発（Scientists Develop High-performance Oxide-based Spintronic Devices on Silicon Substrates）
2025-04-15 中国科学院（CAS）Heterogeneous integration of single-crystal SrRuO₃ films on silicon for spin-orbit torque devices w...
0403電子応用 次世代半導体の電場保持メカニズム解明（Advanced microelectronics: Why a next-gen semiconductor doesn’t fall to pieces）
2025-04-16 ミシガン大学ミシガン大学の研究チームは、次世代半導体素材「ウルツ鉱型強誘電性窒化物」の開発に成功しました。この素材は、互いに反対の電気分極を同時に保持する特性を持ち、従来の半導体では不安定とされてきた「同じ電荷を持つ領...
0403電子応用 中赤外域パルス発生チップ開発（A compact, mid-infrared pulse generator）
2025-04-16 ハーバード大学ハーバード大学SEASの研究チームは、中赤外線領域でピコ秒パルスを生成する世界初のオンチップ型レーザー装置を開発しました。この装置は、量子カスケードレーザー（QCL）を基盤とし、複雑な外部装置を必要とせず...
0403電子応用 有機半導体における電子相関の発達を初めて観測～電子相関発現のメカニズム解明と量子エレクトロニクスの発展に貢献～
2025-04-14 東京科学大学東京科学大学、東京大学、筑波大学の研究グループは、有機半導体C₈-DNBDTに高密度の正孔を注入することで、絶縁体から金属への転移後、電子相関効果が発達する様子を世界で初めて観測しました。これにより、従来ハ...
0403電子応用 有機半導体における電子相関の発達を初めて観測 ～電子相関発現のメカニズム解明と量子エレクトロニクスの発展に貢献～
2025-04-10 東京大学,筑波大学,東京科学大学,科学技術振興機構東京大学大学院新領域創成科学研究科の竹谷純一教授らの研究チームは、筑波大学、東京科学大学、科学技術振興機構（JST）との共同研究により、有機半導体における電子相関効果...
0403電子応用 10倍の帯域幅を持つ増幅器がスーパーレーザーに道を開く（Amplifier with tenfold bandwidth opens up for super lasers）
2025-04-10 チャルマース工科大学チャルマース工科大学の研究チームは、従来の10倍の帯域幅を持ち、ノイズを低減できる新型増幅器を開発した。この技術により、超高強度レーザーの実現が可能となり、物理学や材料科学の分野における新たな研究の...