0403電子応用 ダイヤモンドエレクトロニクスの新構造を開発（Stacking up: A new take on diamond electronics）
2026-01-22 アルゴンヌ国立研究所（ANL）米国の Argonne National Laboratory の研究チームは、高性能電子デバイス向けに ダイヤモンドを用いた新しい電子材料構造 を開発した。ダイヤモンドは 非常に広いバン...
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0403電子応用 「ファイバーチップ」が医療を革新する可能性（’Fiber chip’ could be a boon for healthcare）
2026-01-22 復旦大学復旦大学の研究チームは、柔軟な繊維内部に高密度な電子回路を構築する「ファイバーチップ」を開発した。これは繊維表面だけでなく内部空間を活用する多層スパイラル構造により、柔らかさや伸縮性を保ったまま高度な情報処理を...
0403電子応用 共鳴型マイクロ波アシスト磁気記録向け「スピントルク発振素子」の 発振状態を解明する世界初の評価手法を開発～次世代大容量ニアラインハードディスクの開発に貢献～
2026-01-22 株式会社東芝本研究は、次世代大容量ハードディスク向け技術である共鳴型マイクロ波アシスト磁気記録（MAS-MAMR）に用いられる「スピントルク発振素子（STO）」の発振状態を、世界で初めて直接かつ詳細に評価できる新手法を...
0403電子応用 ナノスケールらせん型デバイスでダイオード効果を観測～デバイス形状と磁性で電子の流れやすさを制御～
2026-01-21 理化学研究所理化学研究所の研究グループは、ワイル磁性体Co₃Sn₂S₂単結晶から集束イオンビーム（FIB）でナノスケールの3次元らせん型デバイスを削り出す手法を開発し、電流が一方向に流れやすいダイオード的（非相反）伝導...
0403電子応用 次世代半導体MoS₂の革新的ウエハースケール成膜技術を開発～結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成～
2026-01-21 東京大学物質・材料研究機構（NIMS）と東京大学を中心とする研究グループは、有機金属化学気相成長法（MOCVD）を用いて、次世代半導体材料MoS₂のウエハースケール単結晶成膜技術を開発した。サファイア基板上で結晶粒が自...
0403電子応用 キノコで動くリビングコンピューター (Powered by mushrooms, living computers are on the rise)
2025-10-24 アメリカ合衆国・オハイオ州立大学 (OSU)オハイオ州立大学の研究チームは、シイタケなどの食用キノコ由来の菌糸ネットワークを用いた有機メモリスタを開発し、低消費電力で脳型計算に適した「生きたコンピュータ」の可能性を示し...
0403電子応用 物理学者がAIを活用しLED光制御を強化（Physicists employ AI labmates to supercharge LED light control）
2026-01-20 サンディア国立研究所（SNL）米国のサンディア国立研究所の物理学者らは、AIを「研究室の共同研究者（ラボメイト）」として活用し、LED光の制御性能を飛躍的に高める手法を開発した。研究では、AIが実験データをリアルタイム...
0403電子応用 光で操る「ナノ温度スイッチ」を実現～光の右回り・左回りで熱分布を書き換える～
2026-01-20 兵庫県立大学兵庫県立大学、東北大学、早稲田大学などの共同研究グループは、光の偏光の回転方向（右回り・左回り）を切り替えるだけで、ナノ構造表面の温度分布を大きく変えられる「ナノ温度スイッチ」を実現した。対象としたのは窒化...
0403電子応用 物質中の「磁石」をジグザグに整列させて電気の流れをコントロール～新しい電流制御で超小型・省エネ・高機能デバイスへの道を拓く～
2026-01-16 日本原子力研究開発機構,東京大学,富山県立大学,東北大学日本原子力研究開発機構、東京大学、東北大学、富山県立大学の研究グループは、電子スピンがジグザグ状に整列した反強磁性金属において、外部磁場なしで電流が一方向に流れや...
0403電子応用 散逸的な磁壁運動による創発電場の発生～磁壁の電流駆動における「摩擦」が生む巨大応答～
2026-01-15 理化学研究所,東京大学,科学技術振興機構,ニューサウスウェールズ大学理化学研究所・東京大学などの国際共同研究グループは、磁性体中の磁壁を交流電流で振動させたとき、散逸（摩擦）を伴う磁壁運動によって量子力学的な「創発電場...
0403電子応用 酸素分子の「スピン」が引き起こす分子配列の歪みを可視化～原子位置から磁性を分析する道が開ける～
2026-01-15 東京大学,北海道大学東京大学と北海道大学の研究グループは、非接触原子間力顕微鏡（AFM）を用いて、銀基板上に吸着した酸素分子（O₂）単分子層を原子レベルで非破壊観察し、分子が持つスピンに起因する分子配列の歪みを実空間で...
0403電子応用 シリコンに注入した水素が自由電子を生成するメカニズムを世界で初めて解明～シリコンパワー半導体の電子濃度制御を高度化し、電力損失低減に貢献～
2026-01-14 東京科学大学東京科学大学（Science Tokyo）、三菱電機、筑波大学、Quemixの4者は、シリコンに注入した水素が特定欠陥（I4欠陥＝格子間シリコン対由来）と結合することで自由電子を生成する機構を世界で初めて解...