0403電子応用 省エネルギー型電子材料を開発(Researchers demonstrate a new material to reduce power consumption of electronics) 2025-07-17 ミネソタ大学This low-symmetry material produces powerful spin-orbit torque (SOT)—a key mechanism for manipulating m... 2025-07-17 0403電子応用
0403電子応用 次世代AIで磁性材料のエネルギー損失の原因を解明~省エネルギーな次世代EV開発への応用に期待~ 2025-07-15 東京理科大学ChatGPT:東京理科大学・筑波大学・岡山大学・京都大学の共同研究チームは、無方向性電磁鋼板(NOES)のエネルギー損失(鉄損)原因を、説明可能AI「拡張型自由エネルギーモデル」で可視化しました。この手法... 2025-07-16 0403電子応用
0403電子応用 商業ファウンドリで製造された初の電子光子量子チップ(First electronic-photonic quantum chip manufactured in commercial foundry) 2025-07-14 ノースウェスタン大学A packaged circuit board containing the chip placed under microscope in probe station during an exp... 2025-07-15 0403電子応用
0403電子応用 ペロブスカイト太陽電池ミニモジュールの性能向上(Collaboration Between NREL and CubicPV Pushes Perovskite Minimodule Performance to New Heights) 2025-07-09 米国国立再生可能エネルギー研究所 (NREL)NREL(米国再生可能エネルギー研究所)とCubicPVの共同研究により、効率24.0%のペロブスカイト・ミニモジュールが開発され、米国勢として初めてこのカテゴリでの世界記... 2025-07-10 0403電子応用
0403電子応用 通信・医療用途向けの新型可変レーザー(Tunable Laser Light) 2025-07-09 ハーバード大学ハーバード大学とウィーン工科大学の研究チームが、新たな可変波長半導体レーザーを開発した。このレーザーは複数の異なるサイズのリング状共振器をチップ上に配置し、電流制御によって1本の光ビームとして滑らかに波長... 2025-07-10 0403電子応用
0403電子応用 高エントロピー酸化物で低抵抗・高性能TMR素子を実現〜大容量磁気ストレージでスマート社会を支える新材料〜 2025-07-09 物質・材料研究機構NIMSは、高エントロピー酸化物「LiTiMgAlGaO」をTMR素子のバリア層に用い、強い垂直磁化、高TMR比(80%超)、低電気抵抗の同時実現に成功した。従来のMgOバリアに比べてバリア高さが半分... 2025-07-09 0403電子応用
0403電子応用 科学者らが最小スケールでの電気制御の新手法を発見(Scientists find new way to control electricity at tiniest scale) 2025-07-08 カリフォルニア大学リバーサイド校 (UCR)Chemical structure of bulk silicon, with the simplest building block of the solid highl... 2025-07-09 0403電子応用
0403電子応用 世界初、CMOS/スピントロニクス融合技術を活用したエッジAI向け実証チップの開発に成功しました~従来比50倍以上のエネルギー効率改善を実証システムで確認~ 2025-07-07 新エネルギー・産業技術総合開発機構,東北大学,株式会社アイシンNEDO、東北大学、アイシンは、CMOSとスピントロニクス技術を融合させた世界初のエッジAI向け実証チップを開発。大容量の不揮発性MRAMを内蔵し、OSやア... 2025-07-07 0403電子応用
0403電子応用 室温にて強相関電子材料の電流方向依存の抵抗変化を発見~キラル磁性体における非相反電荷輸送の包括的理解~ 2025-07-05 理化学研究所,早稲田大学,科学技術振興機構,住友化学株式会社理化学研究所、早稲田大学、JST、住友化学による共同研究で、キラル磁性体Co₈Zn₉Mn₃において、室温で電流の向きによって抵抗が変わる「非相反電荷輸送現象」... 2025-07-07 0403電子応用99未分類
0403電子応用 新規窒化物半導体ヘテロ接合における電子散乱機構を解明~高周波GaNトランジスタの性能向上に道筋~ 2025-07-07 東京大学東京大学と住友電工は、新規窒化物半導体ScAlN/GaNヘテロ接合の高品質成長に成功し、その界面で形成される高密度二次元電子ガス(2DEG)の電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることを初めて明確に... 2025-07-07 0403電子応用
0403電子応用 新素材特性を高速測定するロボットプローブ開発(Robotic probe quickly measures key properties of new materials) 2025-07-04 マサチューセッツ工科大学 (MIT)MITの研究グループは、半導体材料の光電導度(photoconductance)を測定する完全自律型ロボット探針システムを開発しました。探針は材料の表面に接触し、光がもたらす電気応答... 2025-07-07 0403電子応用
0403電子応用 半導体太陽光発電で画期的成果、ペロブスカイト太陽電池のホール輸送層を改善(Chinese Scientists Achieve Breakthrough in Semiconductor Photovoltaics) 2025-06-30 中国科学院(CAS)中国科学院・長春応用化学研究所の研究チームが、新たな「二重ラジカル自己組織化分子材料」を開発し、ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送層における性能と大面積製造の課題を同時に克服した。この材料によりキャリ... 2025-07-01 0403電子応用