2025-05-31 東京大学
東京大学とAGCは、次世代半導体用のガラス基板（EN-A1）に対し、深紫外レーザーを用いて直径10マイクロメートル以下、アスペクト比約20の微細穴あけ加工に成功しました。従来のエッチング法では困難だった高密度・高アスペクト比の穴あけを、クラックなしで実現。化学処理不要で環境負荷も低減します。成果は生成AIや6G通信などで期待されるチップレット技術を支えるガラス基板の実用化に貢献し、日本の半導体後工程分野での競争力強化が期待されます。
半導体基板ガラスへのレーザー微細穴あけ
次世代半導体の基板に用いられると期待されているEN-A1ガラスに対して、25マイクロメートル間隔で直径10マイクロメートル以下の穴あけ加工を深紫外レーザーで実現しました
＜関連情報＞
- https://www.issp.u-tokyo.ac.jp/maincontents/news2.html?pid=27304
- https://www.issp.u-tokyo.ac.jp/news/wp-content/uploads/2025/05/press_0529_press_-DUV-ENA1.pdf
- https://www.ectc.net/program/75-ECTCFinal-Web.pdf
ドライレーザーマイクロドリル加工による厚さ100μmのEN-A1への高アスペクト比、直径6μmの貫通ガラスビア加工
High-aspect-ratio, 6-μm-diameter through-glass-via fabrication into 100-μm-thick EN-A1 by dry laser micro-drilling process
Toshio Otsu, Tsubasa Endo, Akihiro Shibata, Yoichiro Sato, Hiroharu Tamaru and Yohei Kobayashi
ECTC(2025 IEEE 75th Electronic Components and Technology Conference)
