2023-09-04 韓国基礎科学研究院(IBS)
◆従来の製造方法では残留物が問題でしたが、研究者たちはポリプロピレンカーボネート（PPC）を用いて残留物のないウェット転送を成功させ、大規模な遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)の製造が可能になりました。これにより、高性能のFETデバイスが開発され、従来のものよりも優れた電気特性を持つことが示されました。
◆この技術は集積回路製造技術と組み合わせて実装できる可能性があり、今後のTMDデバイスの発展に貢献することが期待されています。
＜関連情報＞
- https://www.ibs.re.kr/cop/bbs/BBSMSTR_000000000738/selectBoardArticle.do
- https://www.nature.com/articles/s41565-023-01497-x
遷移金属ジカルコゲナイド電界効果トランジスタの無残基転移による低オーミック接触抵抗と高オン／オフ比を実現 Low Ohmic contact resistance and high on/off ratio in transition metal dichalcogenides field-effect transistors via residue-free transfer
Ashok Mondal,Chandan Biswas,Sehwan Park,Wujoon Cha,Seoung-Hun Kang,Mina Yoon,Soo Ho Choi,Ki Kang Kim & Young Hee Lee
Nature Nanotechnology Published:04 September 2023
DOI:https://doi.org/10.1038/s41565-023-01497-x
Abstract
Beyond-silicon technology demands ultrahigh performance field-effect transistors. Transition metal dichalcogenides provide an ideal material platform, but the device performances such as the contact resistance, on/off ratio and mobility are often limited by the presence of interfacial residues caused by transfer procedures. Here, we show an ideal residue-free transfer approach using polypropylene carbonate with a negligible residue coverage of ~0.08% for monolayer MoS2 at the centimetre scale. By incorporating a bismuth semimetal contact with an atomically clean monolayer MoS2 field-effect transistor on hexagonal boron nitride substrate, we obtain an ultralow Ohmic contact resistance of ~78 Ω µm, approaching the quantum limit, and a record-high on/off ratio of ~1011 at 15 K. Such an ultra-clean fabrication approach could be the ideal platform for high-performance electrical devices using large-area semiconducting transition metal dichalcogenides.
