0403電子応用 「存在する」から「見える」へ。半導体中を流れる伝導正孔の可視化に初めて成功 ー100年前にディラック博士が提唱した「負のエネルギーを持つ電子」を捉えるー
2026-10-21 高エネルギー加速器研究機構,科学技術振興機構KEKと筑波大学などの研究グループは、半導体デバイスの動作中に、電荷を運ぶ「伝導正孔」がどこに存在し、どのように分布しているかを直接可視化することに初めて成功した。正孔は、電...
電界効果トランジスタ
0403電子応用 
0403電子応用 残渣のない電界効果トランジスタでシリコンを超える技術を開拓(Pioneering beyond-silicon technology via residue-free field effect transistors)
2023-09-04 韓国基礎科学研究院(IBS)◆韓国の研究者チームが、電界効果トランジスタ（FET）の製造に革命的な進歩をもたらす発見をしました。これにより、シリコンベースの半導体技術の限界を克服する可能性が生まれました。◆従来の製造方...
0403電子応用 第一線の専門家が、新しいトランジスタの性能を評価するためのガイドラインを提案(Leading Experts Suggest Guidelines for Assessing Emerging Transistor Performance)
NISTと世界の共同研究者は、スマートフォンや先端エレクトロニクス向けの次世代電界効果デバイスを測定・評価する普遍的な方法を提案します。NIST, global collaborators propose universal ways to...