2100総合技術監理一般 日本初！電気設備の事故情報一元化を実現! ～情報公開により再発防止に貢献!!
発電、変電、送電、配電又は電気の使用のために設置する工作物（電気工作物）の事故情報を全国規模で集約したデータベースを構築し「詳報公表システム」として公開しました。
2022-01
2100総合技術監理一般 
1700応用理学一般 人工次元フォトニクスの実証 ～ 新しい光物理のオンチップ搭載 ～
シリコンフォトニクス技術を用いて、トポロジカルフォトニクスに関連する光学現象の一つ「周波数人工次元」の観測に初めて成功した。
0500化学一般 翼型ナノグラフェンの合成と性質～2つの芳香環に囲まれた空間の芳香族性～
翼型含窒素ナノグラフェンの合成に成功し、その特徴的な構造の解析、ならびに酸化還元や芳香族性に関する物性解明を行いました。剛直なビシクロオクタジエン骨格を用いて、互いの磁気的・電子的性質が影響を及ぼし合う位置に空間配置されたHPHAC二量体が合成されました。単量体と同様に新たに合成された二量体も安定な酸化還元特性を示し、その折れ曲がった構造が形成する特徴的な集積化様式や二つの芳香環に囲まれた空間の芳香族性が増大されることが明らかにされました。
1200農業一般 「玄米貯蔵倉庫におけるコクゾウムシ管理の手引き」標準作業手順書を公開
玄米貯蔵倉庫で発見される害虫の4割を占めるコクゾウムシに対する、貯穀倉庫の管理手法をまとめた標準作業手順書を公開しました。フェロモントラップを用いたコクゾウムシのモニタリングの具体的手順と、その評価結果に基づいた玄米倉庫の衛生管理手法をわかりやすく紹介しています。
0500化学一般 遷移金属酸化物の近藤効果を初めて実証～電子相関物性の設計・探索の新たなプラットホームを開拓～
銅（Cu）とルテニウム（Ru）からなる酸化物（CaCu3Ru4O12）のX線光電子分光を測定し、独自に開発した計算パッケージを用いて、高精度な理論解析を行いました。CaCu3Ru4O12では、遷移金属の酸化物ではほとんど報告例がない近藤効果が実現していることを初めて実証しました
0405電気設備 低損失かつ高精度な電流検出機能で電源システムの小型化を実現するGaNデバイスに内蔵可能な世界初の集積回路技術を開発
GaN（窒化ガリウム）デバイスなどで構成されるハーフブリッジモジュール「HBモジュール」にシャントMOS（Metal Oxide Semiconductor）電流センサーを内蔵することにより、損失が増加しにくい電流検出と高い電流検出精度を両立するとともに、機器の小型化を実現する集積回路技術を世界で初めて開発しました。
1702地球物理及び地球化学 令和4年1月22日1時8分の日向灘の地震に伴う地殻変動(第2報)
2022年１月22日１時８分に日向灘で発生した地震について、電子基準点で観測された１月30日８時59分までのデータを解析した結果、電子基準点「宇目(021082)」や「米水津(021080)」で水平方向にわずかな変動が、上下方向では「北川(950476)」や「大分佐伯(940090)」で１cm程度の沈降が見られるなど、大分県や宮崎県北部とその周辺で小さな地殻変動が検出されました。１月24日発表の解析結果と整合的です。
0405電気設備 国内初：大型蓄電池が水没した際の製品状態を検証するための試験を開始
蓄電池システムが水没した際にも発火などの二次災害が起きず、安全に停止できるかどうかを検証するために、日本初となる大型蓄電池システムの「水没試験（NITE検証水没試験）」を実施し、安全性に関わる試験データを取得しました。
0403電子応用 弱い磁場で生成・制御可能な磁気渦を “トポロジカル原子層サンドイッチ構造”で発見
スピンを持つマンガン原子が規則的に密に並んだ単一原子層を含むトポロジカル強磁性体Mn(Bi,Sb)2Te4を使って、トポロジカル絶縁体(Bi,Sb)2Te3原子層の上下を挟んだ“原子層サンドイッチ構造”を作製し、その電気伝導を測定しました。これまでの1/10程度の弱い磁場でトポロジカルホール効果観測され、ミクロな磁気渦（スキルミオン）が形成されていることを発見しました。
1702地球物理及び地球化学 布田川断層での200 mを超える落差の発見～火山活動と関係した断層運動の”縦ずれ”から”横ずれ”への変化～
2016年熊本地震本震を引き起こした布田川断層に沿って、現在のほぼ水平にずれる断層運動と異なり、縦にずれる断層運動を示す鉛直落差が200 mにも及んでいることを発見し、最後の阿蘇火山カルデラ噴火（約9万年前）後に布田川断層の運動方式が、縦ずれ卓越から横ずれ卓越へ変化したことを破砕帯の地質学的観察と物理特性の解析から明らかにしました。
0403電子応用 フッ化物を用いた磁気メモリー素子により情報の記録保持特性を改善~脳型コンピューティング用メモリーへの適用に期待
フッ化リチウム(LiF)と酸化マグネシウム(MgO)を組み合わせたトンネル障壁層を用いた新構造の磁気トンネル接合素子「MTJ素子」を開発し、磁気メモリー(MRAM)の記録保持特性の指標となる垂直磁気異方性の改善に成功した。
1701物理及び化学 二次元ディラック電子の量子異常を実証～トポロジカル絶縁体表面での半整数量子ホール効果を観測～
トポロジカル絶縁体と磁性トポロジカル絶縁体の積層薄膜において、半整数（1/2）に量子化されたホール伝導度を観測しました。トポロジカル絶縁体表面に存在する単一の二次元ディラック電子に関する量子異常を反映したもので、今後、単一ディラック電子を利用したさらなる基礎物理研究の展開が期待できます。
