2021-05-29

さまざまな作業現場の自動化をめざし、形状が変わる物体のハンドリングに対応する深層学習型ロボット制御技術を開発 0109ロボット

さまざまな作業現場の自動化をめざし、形状が変わる物体のハンドリングに対応する深層学習型ロボット制御技術を開発

複雑な動作を容易に実現することができる深層学習型のロボット制御技術を開発した。ロボットの手先や対象物の特徴情報を学習により自動抽出することで、形状が変わる物体のハンドリングをプログラミングレスで習得できる。
港湾のCO2排出削減に向けた取り組みを開始 0108交通物流機械及び建設機械

港湾のCO2排出削減に向けた取り組みを開始

燃料電池フォークリフト(FCF)温室効果ガスの排出量削減と燃費改善を実現する新RTG(タイヤ式門型クレーン)の開発に着手。 港湾で多くが稼働中のフォークリフトについても燃料電池化(燃料電池フォークリフト(FCF))を検討。
からみあう電子たち~量子液体における三体相関の検出~ 1701物理及び化学

からみあう電子たち~量子液体における三体相関の検出~

微小な人工原子中の量子液体を電気伝導度測定によって調べ、3つの電子が相関を持って振る舞う様子を検出。非平衡領域における量子液体の普遍的な振る舞いを初めて実験的に明らかに。
人間の毛髪由来のカーボンナノドットが太陽電池を強化 (Carbon dots from human hair boost solar cells) 0405電気設備

人間の毛髪由来のカーボンナノドットが太陽電池を強化 (Carbon dots from human hair boost solar cells)

人間の毛髪から作製したカーボンナノドットを使用してペロブスカイト太陽電池性能を向上させる技術を開発。
アルミニウムアノード電池がリチウムイオン電池のサステナブルな代替に(Aluminum-anode batteries offer sustainable alternative) 0402電気応用

アルミニウムアノード電池がリチウムイオン電池のサステナブルな代替に(Aluminum-anode batteries offer sustainable alternative)

アルミニウム(Al)を使用した金属アノードの蓄電池を開発。
業界標準の薄膜電池に迫る新しい 3D マイクロバッテリー 0402電気応用

業界標準の薄膜電池に迫る新しい 3D マイクロバッテリー

厚い 3D 電極を使用するパワフルなマイクロバッテリーの製造とパッケージング技術を開発。ゲル電解質で満たしたパッケージに各ユニットを封入した同マイクロバッテリ-は、リソグラフィーと電気溶着プロセスにより作製。プロトタイプでは、これまで報告された中で最も高いピークパワー密度を達成した。
バクテリアを環境センサーとして利用する安全な方法 (A safer way to deploy bacteria as environmental sensors) 0502有機化学製品

バクテリアを環境センサーとして利用する安全な方法 (A safer way to deploy bacteria as environmental sensors)

遺伝子組み換え微生物によるセンサーを安全に使用するための、ハイドロゲルシェルのケージ製造技術を開発。ハイドロゲルの球体シェルに埋め込んだ大腸菌センサーを使用し、他の有機物から隔離しながら目的の汚染物質の検出を実証。同シェルは環境によるダメージからセンサーを保護する役割も担う。
トロント大学と LG が「説明できる」人工知能アルゴリズムを開発 1600情報工学一般

トロント大学と LG が「説明できる」人工知能アルゴリズムを開発

ディプレイ画面の欠陥の特定と除去を支援する「説明できる」人工知能(XAI)アルゴリズム、「Semantic Input Sampling for Explanation(SISE)」を開発。
革新的な ULTRARAMTM メモリーチップへの最初の一歩 (First steps towards revolutionary ULTRARAMTM memory chips) 0403電子応用

革新的な ULTRARAMTM メモリーチップへの最初の一歩 (First steps towards revolutionary ULTRARAMTM memory chips)

独自に開発する新型のユニバーサルメモリの「ULTRARAMTM」を初めて小型(4-bit)アレイに集積し、次世代 ULTRARAMTM メモリチップのベースとなる新たなメモリアーキテクチャの実証に成功。共鳴トンネル効果を最大に活用できるようデバイス設計を変更し、初期プロトタイプの 2,000 倍の速度に加え、データ保持への影響無く、フラッシュメモリの最低でも 10 倍の P/E サイクルを達成した。
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