0403電子応用 SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発
炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1.2 kV耐電圧(耐圧)クラスの縦型スーパージャンクション(SJ)MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
0403電子応用
1701物理及び化学
1701物理及び化学
0502有機化学製品
0403電子応用
0403電子応用
1903自然環境保全
0502有機化学製品
0502有機化学製品
1703地質