SiCトランジスタ

界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6～80倍向上

SiC（シリコンカーバイド）半導体で問題になっていた欠陥（不完全性）を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。

2021-10-27

0403電子応用

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

発表・掲載日：2017/12/05　産総研 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発－ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－ポイント 1200 V耐...

2017-12-09

0403電子応用