高輝度光科学研究センター

0505化学装置及び設備

X線レーザーを10nm以下まで集光できる鏡を開発

X線自由電子レーザーを10nm以下まで集光可能な多層膜集光鏡の開発に成功した。
1701物理及び化学

アンジュレータの放射線耐性が飛躍的に向上~「傾斜磁化」により減磁を大幅に抑制~

放射光施設やX線自由電子レーザー(XFEL)施設において指向性の高いX線を発生させる「アンジュレータ」に利用されている永久磁石ブロックの磁化角度(S/N極の方向)を45度傾けることにより、磁石の放射線耐性が5~10倍向上することを実証した。
1604情報ネットワーク

電子ビームの時間幅「1,000兆分の1秒」の評価法を開発

「X線強度干渉法」の原理に基づき、光速近くまで加速された電子ビームの時間幅の計測法を開発しました。
0501セラミックス及び無機化学製品

X線の2光子吸収分光法を実現;高温超伝導体をはじめとする遷移金属化合物のd軌道の理解に貢献

X線自由電子レーザー(XFEL)施設「SACLA」を用いて、物質がX線の光の粒(光子)を2個同時に吸収する2光子吸収を利用した新しい分光法「X線2光子吸収分光法」を世界で初めて実現しました。
0405電気設備

SiCパワー半導体技術を用いた高出力高安定化電源の開発

次世代のパワー半導体デバイスである「SiC MOSFET」を用いて、高出力と高い安定性を両立しつつ、出力電流の方向や大きさを広い範囲で変えられるコンパクトなパルス電源を開発した。
1701物理及び化学

上下の環境が異なる特定元素のみをマッピングする基礎技術を実証

X線自由電子レーザー施設SACLAを用いた軟X線の非線形光学効果(第2次高調波発生)を観測することに成功しました。
1701物理及び化学

物質の内部に隠れたトポロジーの直接観測に成功

軟X線を用いることで、物質がトポロジカル電子相へ変化していくトポロジカル相転移の観測に成功しました。セリウムモノプニクタイドと呼ばれる物質群において、物質内部に隠れたトポロジーの決定に世界で初めて成功しました。
0703金属材料

ナノ合金の画期的な結晶構造制御法の開発に成功

これまで自由に制御できなかったナノ合金材料の結晶構造が制御できることを明らかにした。金とルテニウムのナノ合金について、同一組成でも異なる結晶構造の作り分けに世界で初めて成功した。
2000原子力放射線一般

放射光光電子顕微鏡により絶縁物のナノスケール化学分析を実現

-粘土鉱物中のCs吸着挙動の解明に新たな道- 平成30年1月11日 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 公益財団法人高輝度光科学研究センター 発表のポイント 福島第一原子力発電所の事故以降、Csの除染や汚染土壌の減容化などにとって、粘土...
1701物理及び化学

液-液相転移の臨界点を実証

水に特有の物理的特性の起源を解明 2018年1月10日 理化学研究所 高輝度光科学研究センター ストックホルム大学 要旨 理化学研究所(理研)放射光科学総合研究センター ビームライン開発チームの片山哲夫客員研究員(高輝度光科学研究センターX...
ad
タイトルとURLをコピーしました