0403電子応用 スパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜の作製に成功 ～成長温度の系統的変化が構造特性と電気特性に及ぼす影響を解明～
2025-08-08 東京理科大学,住友電気工業株式会社,東京大学東京理科大学、住友電気工業、東京大学の共同研究チームは、産業的に汎用性の高いスパッタ法で高品質な窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜の作製に成功しました。成長温度を...
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0403電子応用 
1700応用理学一般 量子グレードの高品質・高輝度蛍光ナノ粉末ダイヤモンド～ナノダイヤモンド量子センサの性能向上で超高感度の測定が可能に～
2024-12-23 岡山大学,量子科学技術研究開発機構,北陸先端科学技術大学院大学,筑波大学◆発表のポイント 明るい蛍光イメージングとナノ量子計測法が利用可能な品質等級（量子グレード）を実現しました。 従来の蛍光ナノ粉末ダイヤモンドに比べ...
0401発送配変電 米国初、レドックスフロー電池の電力卸売市場での運用を開始～蓄電池の複合的な運用による経済性向上手法を検証～
長寿命かつ大型化に適した定置用蓄電池「レドックスフロー電池（RF電池）」を米国カリフォルニア州の電力卸売市場に接続し、最も収益が見込める運用手法を検証するための実証運転を開始。
0403電子応用 SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発
炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2 kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
2004放射線利用 高温超電導線材の超電導接合を持つ永久電流ＮＭＲ
高温超電導線材の超電導接合を持つ永久電流核磁気共鳴（ＮＭＲ）装置によるＮＭＲ信号取得に成功した。
0400電気電子一般 広い温度と磁場の領域で電気抵抗ゼロを示す超電導接合
－安価で簡便な冷却方式のMRI・NMR装置の実現に前進－2017-12-19 理化学研究所,住友電気工業株式会社要旨理研（理化学研究所）ライフサイエンス技術基盤研究センター構造・合成生物学部門NMR施設の前田秀明施設長、理研CLST-JEO...