0403電子応用 光子と電子の中間のような電子～化学で作る不思議な粒子の振舞い～
2025-09-04 愛媛大学愛媛大学の内藤俊雄教授らの研究グループは、有機分子材料を用いて「光子と電子の中間のような振る舞いをする電子状態」を実現することに成功しました。研究対象となったBETS系有機分子結晶（α-BETS₂Xおよびα′-...
0403電子応用
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0403電子応用 電力ロスを大幅に低減！革新的な鉄系磁性材料を開発〜新たな組織と磁化制御技術で実現 次世代トランス・EV部品への応用に期待〜
2025-09-03 物質・材料研究機構,東北大学,産業技術総合研究所NIMS、東北大学、産総研の共同研究チームは、鉄系軟磁性アモルファスリボンに新たなナノ組織・磁区構造の制御技術を導入し、電力損失を従来比で50%以上低減することに成功しま...
0403電子応用 単一の半導体材料にて正孔と電子の異なる輸送異方性を実証～分子半導体における理論予測を実証し、次世代電子デバイス開発の新たな指針を提示～
2025-09-04 東京大学,横浜国立大学,東京理科大学,産業技術総合研究所,科学技術振興機構東京大学、横浜国立大学、東京理科大学、産総研、JSTの研究チームは、独自に開発したアンバイポーラ分子半導体「Ni(4OPr)」を用いて、単一材料...
世界初、室温における二次元層状磁石の電気的磁気制御～層状物質の隙間を電気的に精密制御し、二次元磁石の磁気特性を効率的に操作～
2025-08-29 九州大学九州大学理学研究院の飯森陸助教・木村崇教授らの研究グループは、二次元層状磁石の磁気特性を室温で電気的に制御することに世界で初めて成功しました。研究チームは強磁性体 Fe₃GaTe₂ 薄膜を強誘電体基板（PMN-...
0403電子応用 世界初の電気駆動ペロブスカイトレーザー（World’s first electrically-driven perovskite laser）
2025-08-28 浙江大学（ZJU）浙江大学の研究チームが世界初の「電気駆動型ペロブスカイトレーザー」を開発した。従来、ペロブスカイト半導体は低しきい値での光励起レーザー発振が可能だったが、実用上重要な電気駆動レーザー化は長年の課題だっ...
0403電子応用 オブジェクトを超高速で測定する 1 セントよりも小さな新レーザー (New laser smaller than a penny can measure objects at ultrafast rates)
2025-05-30 アメリカ合衆国・ロチェスター大学ロチェスター大学とUCサンタバーバラの研究チームは、直径1セント硬貨以下のサイズで、超高速かつ高精度な計測を可能にするチップスケールレーザーを開発しました。材料にリチウムナイオベートを用...
0403電子応用 ナノエンジニアリングによる熱電効果でコンプレッサー不要のスケーラブルな冷却技術を実現 (Nano-engineered Thermoelectrics Enable Scalable, Compressor-Free Cooling)
2025-05-21 アメリカ合衆国・ジョンズ・ホプキンズ大学ジョンズ・ホプキンズ大学APLの研究チームは、ナノ構造を持つ薄膜熱電材料（CHESS：Controlled Hierarchically Engineered Superlatt...
0403電子応用 光学メタサーフェスを用いた空間・偏波ビーム多重器を実証～任意の直交ベクトルモード基底の変換を実現～
2025-08-26 東京大学東京大学の研究チームは、光学メタサーフェスを用いた小型多入力多出力ベクトルビーム変換器を実証しました。従来は複数の光学素子を組み合わせる必要があった空間モードや偏波モードの多重化・分離を、厚さ0.6mm・面積0...
0403電子応用 デジタルからアナログへの変換を一工程で実現（Digital to analog in one smooth step）
2025-08-25 ハーバード大学ハーバード大学SEASの研究チームは、電子のデジタル信号を光のアナログ信号へ一段階で変換する新デバイスを開発しました。リチウムニオベートを用いた電気光学チップ上で構築され、従来必要だった複数の変換・変調器...
0403電子応用 新しいレーザーコームが高精度化学物質検出を実現（New laser comb can enable rapid identification of chemicals with extreme precision）
2025-08-20 マサチューセッツ工科大学(MIT)MITの研究チームは、化学物質を極めて正確かつ迅速に識別できる小型の「赤外線レーザー周波数コム」を開発した。従来の分光器は大型で複雑な装置を必要としたが、本研究では分散補償用の「二重チ...
0403電子応用 「スピン半導体」の動作速度の限界を超える新発見～反強磁性体の従来磁石材料に対する工学的優位性を世界で初めて実証～
2025-08-22 東北大学東北大学・物質・材料研究機構・日本原子力研究開発機構の研究チームは、カイラル反強磁性体Mn₃Snを用いて、スピン半導体の動作速度における「反強磁性体の強磁性体に対する工学的優位性」を世界で初めて実証しました。従...
0403電子応用 安全かつ簡便に作れる高性能薄膜トランジスタ～水素ガス不要で、電界効果移動度は従来比10倍～
2025-08-20 北海道大学北海道大学の研究グループ（太田裕道教授ら）は、水素ガスを用いずに高性能薄膜トランジスタを作製する新手法を開発しました。従来の水素添加酸化インジウム薄膜トランジスタは、主流のIGZO素子の約10倍となる高い電界...