0403電子応用 世界初、最小規格のオンボード光モジュールで400ギガビット／秒伝送を実現
COBOの規格最小のClass Aのオンボード光モジュールで、400Gbit/sの伝送速度を世界で初めて実現した。PETRAが開発したシリコンフォトニクス技術を用いた世界最小5mm角の超小型光トランシーバー「光I／Oコア」を適用。
0403電子応用
0403電子応用 
0403電子応用 シリコンフォトニクス技術による光渦多重器を開発
光通信帯域に対応した光渦（ひかりうず）多重器を開発した。シリコンフォトニクス技術を用いることで、波長無依存性な光渦合分波に成功し、世界で唯一のモジュール実装されたデバイスを実現した。
0401発送配変電 2次元物質で高効率の熱電変換を実現
鉄系高温超伝導体のセレン化鉄（FeSe）を極薄膜化することで、熱電効果（ゼーべック効果）が飛躍的に上昇することを発見した。
0401発送配変電 強磁性体における熱電性能の顕著な増大を発見
Fe, V, Al, Siを含んだ弱い強磁性合金で、強磁性転移温度 (Tc) 周辺の非常に幅広い温度域で熱電性能の向上がみられ、特にTcが室温に近い場合、Tc近辺では変換効率を最大で2倍程度も向上させることがわかった。
0403電子応用 小型に集積可能なフォトダイオードで受光感度21.8A／Wを達成
フォトダイオードの小型化と高感度化を両立させる技術の開発に成功し、シリコンフォトニクス技術により他の光素子と集積可能なフォトダイオードとして、1600nm波長帯の光に対して世界最高となる21.8A／Wの受光感度を達成した。
0400電気電子一般 双方向動作型デュアルコムファイバレーザーの開発に成功
広い波長帯域と高いコヒーレンスを持ち、繰り返し周波数が異なる２つの光コムを発生するデュアルコムファイバレーザーを開発した。
0400電気電子一般 薄膜トランジスタを部分的なレーザー処理で高速化する技術を開発~４Ｋ８Ｋ大型テレビの製造コストを大幅に低減
ａ－Ｓｉ膜のＴＦＴ素子のチャネル領域のみをレーザーアニール処理して、局所的に再結晶化することでＴＦＴ素子を高速化する技術を基に、レーザーアニール処理されたＴＦＴの性能をリアルタイムに測定する装置の開発など、量産の課題を解決し実証した。
0110情報・精密機器 超省エネ・小型の原子時計の開発に成功～自動車やスマートフォン、小型衛星などにも搭載可能な高精度時計～
2019-02-19 産業技術総合研究所 要点 これまで不可能だった小型電子機器に搭載できる原子時計を開発 従来型の大きな原子時計と同等の周波数安定度を実現、消費電力、サイズを一桁以上低減 政府が進めるIoTが支えるソサエティ5．0（超ス...
0400電気電子一般 スピントロニクス集積回路技術を用いて、 高性能と超低消費電力を両立する 不揮発マイコンを世界で初めて実証
スピン移行トルク型ＭＴＪ（磁気トンネル接合素子）とＳｉ－ＣＭＯＳ技術を組み合わせた集積回路技術を用いて、高性能（動作周波数２００ＭＨｚ）と超低消費電力（平均電力５０μＷ以下）を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証した。
0403電子応用 高温動作可能な高出力テラヘルツ量子カスケードレーザー
「非平衡グリーン関数法」に基づく第一原理計算を用いて高エネルギーサブバンド準位を最適化した構造を用いて、「テラヘルツ光」を光源として用いる「テラヘルツ量子カスケードレーザー」の高出力化および高温動作性能の向上に成功した。
0403電子応用 プラモデルのように組み立てる超薄型（５マイクロメートル）半導体ひずみセンサチップ
次世代型高性能フレキシブルデバイスの機械構造設計、精密組み立て技術 2019-02-14 産業技術総合研究所 発表のポイント 厚さわずか５マイクロメートルで曲げられる超薄型半導体ひずみセンサチップを、一般的な半導体製造プロセスを用いて大量...
0403電子応用 ドープ有機半導体の電気伝導度を決定づける、鍵となる因子を発見
2019-02-05 自然科学研究機構 研究の概要 有機半導体は、柔軟で、曲げることのできる電子回路を、印刷技術で大量に作るためには欠かせない材料であり、既に、有機発光ダイオード（OLED）を用いたディスプレイ市場では成功を収めています。し...