0403電子応用 準安定な驚異：X線が照らし出すエキゾチックな物質変換(Metastable marvel: X-rays illuminate an exotic material transformation)
2025-01-16 アルゴンヌ国立研究所アルゴンヌ国立研究所の研究チームは、超高速レーザーとX線を用いて、材料のメタ安定状態への遷移を詳細に観察しました。この状態は通常の平衡状態とは異なり、特定の刺激（レーザーパルス）を受けることで誘発さ...
0403電子応用
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0403電子応用 革新的な半導体試験技術の開発（Next-level semiconductor testing available）
2025-01-16 オークリッジ国立研究所 (ORNL)ORNL researchers have developed an Autonomous Configurable Component Evaluation Power Test ...
0403電子応用 磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現～磁場でも制御可能なメモリスタの開拓～
2025-01-10 東京大学発表のポイント 強磁性体／酸化物／半導体多層膜を電極とし半導体をチャネルとした二端子素子を作製し、定電圧下において、印加された磁場の履歴を記憶でき、それを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ（メモリスタ）を実現...
0403電子応用 ダイヤモンドエレクトロニクスとセンサーの輝く未来を確保 (Ensuring a bright future for diamond electronics and sensors)
2024-11-05 アメリカ合衆国・プリンストンプラズマ物理学研究所 (PPPL)プリンストン大学プラズマ物理研究所（PPPL）の研究者たちは、半導体産業向けに高品質な人工ダイヤモンドを低温で効率的に製造する新技術を開発しました。この技術...
0403電子応用 マサチューセッツ工科大学が3Dチップを開発（MIT engineers grow high-rise 3D chips）
2024-12-18 マサチューセッツ工科大学MITのエンジニアチームは、電子デバイスの層をシームレスに積み重ねることで、より高速で高密度、強力なコンピュータチップを作成する方法を開発しました。この手法では、半導体粒子を直接他の半導体層の上...
0403電子応用 酸化物ヘテロ界面での電荷移動を解明 (Unraveling Charge Transfer at Oxide Heterointerfaces)
2024-12-18 パシフィック・ノースウェスト国立研究所 (PNNL)太平洋北西国立研究所（PNNL）の研究では、半導体シリコン（Si）と酸化物ストロンチウムチタン酸化物（SrTiO₃）のヘテロ界面における電荷移動の仕組みが解明されまし...
0403電子応用 量子科学用卓上精密レーザーのパワーをチップ・スケールへ(Bringing the power of tabletop precision lasers for quantum science to the chip scale)
2024-12-12 カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）の研究チームは、量子科学の分野で使用される卓上精密レーザーの性能を、手のひらサイズのチップ上で実現する新たな技術を開発しました...
0403電子応用 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構を解明～低炭素社会に寄与する新しいパワー半導体デバイスの実現に向け大きく前進～
2024-12-10 東京大学発表のポイント NTTは、AlN系半導体の結晶成長・デバイス技術の開発により、ほぼ理想的な特性を示すAlN系ショットキーバリアダイオード（SBD）の作製に成功しました。 東京大学は、この理想的なAlN系SBDの...
0403電子応用 電池のようなコンピューター・メモリーは1000°F以上でも作動し続ける(Battery-like computer memory keeps working above 1000°F)
2024-12-09 ミシガン大学ミシガン大学の研究チームは、タンタル酸化物を用いた新しい固体メモリデバイスを開発し、600℃（1,112°F）以上の高温環境でもデータの保存と書き換えが可能であることを実証しました。 この技術は、従来のシリ...
0403電子応用 シリコン量子ビット素子の特性が長い周期で変化する主な原因を特定～量子コンピューターの安定動作を実現する基本素子の製造技術開発に前進～
2024-12-08 産業技術総合研究所ポイント シリコンFin型量子ビット素子における長周期の特性変化を解析 絶縁膜/半導体界面における電子のトラップ現象が特性変化の原因であることを初めて特定 量子コンピューターの利用可能時間を制限する各...
0403電子応用 エネルギー効率に優れたマイクロエレクトロニクスの進展を支援する新しいコンピューターシミュレーショ ン (New Computer Simulations Help Scientists Advance Energy-Efficient Microelectronics)
2024-09-19 アメリカ合衆国・ローレンスバークレー国立研究所(LBNL)・ LBNL が、誘電体薄膜での負の静電容量(negative capacitance:NC)の発生を微視レベルで明らかにし、その強化とカスタム化を可能にする、...
0403電子応用 低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料の開発に成功～独自の窒化物材料を改良し、次世代メモリの有力候補に名乗り～
2024-12-04 産業技術総合研究所ポイント 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発 開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に...
