0403電子応用 「スピン半導体」の動作速度の限界を超える新発見～反強磁性体の従来磁石材料に対する工学的優位性を世界で初めて実証～
2025-08-22 東北大学東北大学・物質・材料研究機構・日本原子力研究開発機構の研究チームは、カイラル反強磁性体Mn₃Snを用いて、スピン半導体の動作速度における「反強磁性体の強磁性体に対する工学的優位性」を世界で初めて実証しました。従...
0403電子応用
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0403電子応用 安全かつ簡便に作れる高性能薄膜トランジスタ～水素ガス不要で、電界効果移動度は従来比10倍～
2025-08-20 北海道大学北海道大学の研究グループ（太田裕道教授ら）は、水素ガスを用いずに高性能薄膜トランジスタを作製する新手法を開発しました。従来の水素添加酸化インジウム薄膜トランジスタは、主流のIGZO素子の約10倍となる高い電界...
0403電子応用 超伝導材料の発見を導く統一理論を提案（Unified theory may reveal more superconducting materials）
2025-08-15 ペンシルベニア州立大学（PennState）従来、超伝導体の理論と材料予測には限界があり、低温でしか機能しない物質が中心でした。ペンシルベニア州立大学のZi-Kui Liu教授らは、超伝導の古典的理論（BCS理論）と、...
0403電子応用 微弱電場が化学物理現象に与える影響を解明（Weak Electric Fields Can Profoundly Influence Chemical Physics Phenomena）
2025-08-15 パシフィック・ノースウェスト国立研究所（PNNL）PNNLの研究チームは、弱い電場が化学物理現象に大きな影響を与えることを示した。界面やナノ粒子先端では電場が局所的に増幅され、反応エネルギーや分子軌道の局在化を変化させ...
0403電子応用 欠陥を利用してスピントロニクスデバイスを改良する方法を解明（Researchers Show How to Use Defects to Improve Spintronic Devices）
2025-08-15 中国科学院(CAS)中国科学院NIMTEの研究チームは、スピントロニクスで問題視されてきた材料欠陥を資源化。SrRuO3を用いた軌道ホール効果の精密計測で、欠陥導入により軌道ホール伝導度とホール角が同時に向上する非従来...
0403電子応用 雑音からナノスケール信号を抽出（Finding Clarity in the Noise: A New Way to Recover Hidden Signals at the Nanoscale）
2025-08-07 ジョージア工科大学ジョージア工科大学の研究チームは、ナノスケールでの計測においてノイズに埋もれた信号を高精度に復元する手法を開発した。ピエゾ応答力顕微鏡（PFM）の低SNR測定で、物理モデリングと統計的再構成を組み合わ...
0403電子応用 音波で量子情報を記録（Using Sound to Remember Quantum Information）
2025+-08-13 カリフォルニア工科大学（Caltech）カルテックの研究チームは、超伝導量子ビットの情報を音波（フォノン）として保存し、従来より最大30倍長く保持できる量子メモリ技術を開発した。量子ビットをチップ上の機械的振動子と接...
0403電子応用 粒子物理学向けの放射線耐性ADCチップ：素粒子物理学と工学教育に革新をもたらす（Technology from Columbia Engineering Powers Collaborative Breakthroughs）
2025-08-11 コロンビア大学コロンビア大学工学部電気工学科の研究チームは、CERNの大型ハドロン衝突型加速器（LHC）ATLAS検出器向けに、毎秒15億回の粒子衝突を測定できる放射線耐性アナログ-デジタル変換（ADC）チップを開発し...
0403電子応用 スパッタ法を用いて高品質なScAlN薄膜の作製に成功 ～成長温度の系統的変化が構造特性と電気特性に及ぼす影響を解明～
2025-08-08 東京理科大学,住友電気工業株式会社,東京大学東京理科大学、住友電気工業、東京大学の共同研究チームは、産業的に汎用性の高いスパッタ法で高品質な窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜の作製に成功しました。成長温度を...
0403電子応用 応力発光半導体でスピンドープ強磁性を発見～エネルギー関連材料の機能革新に大きく寄与～
2025-08-07 佐賀大学,東北大学,筑波大学九州大学,高エネルギー加速器研究機構, J-PARC センター佐賀大学、東北大学、筑波大学、九州大学、高エネルギー加速器研究機構の共同研究は、応力発光半導体Eu:SrAl₂O₄に微量の磁性原...
0403電子応用 ナノフォトニクス：超高速光スイッチの開発（Nanophotonics: an ultrafast light switch）
2025-08-06 ミュンヘン大学（LMU）ミュンヘン大学（LMU）とモナシュ大学の研究チームは、ナノフォトニクス分野で超高速光スイッチ技術を開発した。シリコン製ナノロッド2本からなる非対称メタサーフェス構造を用い、特定波長で光を透過させ...
0403電子応用 過酷環境対応のエネルギー効率メモリセンサーを開発（Researchers develop energy-efficient memory sensor for wet, salty environments）
2025-08-01 カリフォルニア大学バークレー校（UCB）カリフォルニア大学バークレー校の研究チームは、湿潤かつ塩分の多い環境でも機能する省エネ型「インメモリ・センサー（memsensor）」を開発した。VO₂材料の相転移を利用し、塩分...