0403電子応用

熱型フォトディテクターの応答速度を大幅に向上させる光トラップ技術(Trapping Light on Thermal Photodetectors Shatters Speed Records) 0403電子応用

熱型フォトディテクターの応答速度を大幅に向上させる光トラップ技術(Trapping Light on Thermal Photodetectors Shatters Speed Records)

2026-03-04 デューク大学米デューク大学プラット工学部の研究チームは、従来より大幅に高速な動作を実現する熱型フォトディテクター(光検出器)を開発し、応答速度の新記録を達成した。一般に熱型フォトディテクターは広い波長域の光を検出できる...
レーザ光照射でトポロジカル半金属薄膜上に任意形状の超伝導ナノ構造を作製、無磁場で超伝導ダイオード効果を実証 ―将来の超伝導量子デバイス・量子回路の実現に道― 0403電子応用

レーザ光照射でトポロジカル半金属薄膜上に任意形状の超伝導ナノ構造を作製、無磁場で超伝導ダイオード効果を実証 ―将来の超伝導量子デバイス・量子回路の実現に道―

2026-03-04 東京大学東京大学大学院工学系研究科の研究チームは、トポロジカルDirac半金属α-Sn薄膜に集光レーザを局所照射することで、超伝導金属β-Snをナノメートルスケールで任意形状に形成する新しいナノ加工技術を開発した。レー...
ビスマス系2次元強誘電酸化物を開発、超低電圧・高耐久強誘電トランジスタを実現(Novel Bismuth-Based 2D Ferroelectric Oxide Pushing the Limits of Ultra-Low Voltage and High Endurance in Ferroelectric Transistors) 0403電子応用

ビスマス系2次元強誘電酸化物を開発、超低電圧・高耐久強誘電トランジスタを実現(Novel Bismuth-Based 2D Ferroelectric Oxide Pushing the Limits of Ultra-Low Voltage and High Endurance in Ferroelectric Transistors)

20206-02-01 北京大学(PKU)北京大学の彭海琳教授らの研究チームは、原子レベルの薄さでも強誘電性を維持できる新しい2次元強誘電酸化物α-Bi₂SeO₅を開発し、ウエハースケールで均一な超薄膜の作製に初めて成功した。強誘電体はメモ...
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量子ドットによる赤外光生成の新手法(UChicago scientists find better way to make infrared light―using quantum dots) 0403電子応用

量子ドットによる赤外光生成の新手法(UChicago scientists find better way to make infrared light―using quantum dots)

2026-02-24 シカゴ大学(UChicago)University of Chicagoの研究チームは、量子ドットを用いて赤外光をより効率的に生成する新手法を開発した。従来はエネルギー損失や発光効率の低さが課題だったが、ナノ結晶構造と...
シリコン中の堅牢な新テレコム量子ビット(A Robust New Telecom Qubit in Silicon) 0403電子応用

シリコン中の堅牢な新テレコム量子ビット(A Robust New Telecom Qubit in Silicon)

2026-02-25 カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校の研究グループは、シリコン中の新しい耐久性の高い量子ビット(qubit)候補 を発見しました。一般にqubitは量子コンピュータや量子通信...
毛髪幅LEDがレーザーに代わる可能性(Hair-width LEDs could replace lasers ― and a UCSB doctoral student is helping make it happen) 0403電子応用

毛髪幅LEDがレーザーに代わる可能性(Hair-width LEDs could replace lasers ― and a UCSB doctoral student is helping make it happen)

2026-02-23 カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校(UCSB)の研究チームは、髪の毛ほどの幅しかない極細LEDを開発し、従来レーザーが担ってきた用途を置き換える可能性を示した。このマイクロ...
高耐久ナイロン自己発電デバイスが高圧下でも発電を実現(‘Incredibly resilient’ nylon device creates electricity under tonnes of pressure) 0403電子応用

高耐久ナイロン自己発電デバイスが高圧下でも発電を実現(‘Incredibly resilient’ nylon device creates electricity under tonnes of pressure)

2026-02-20 ロイヤルメルボルン工科大学(RMIT)オーストラリアの RMIT University の研究チームは、柔軟かつ耐久性の高いナイロン薄膜デバイスを開発し、圧縮(押される力)から継続的に電気を生成する技術を実証した。通常...
蒸発から連続的に発電するナノデバイスを開発(Nanodevice produces continuous electricity from evaporation) 0403電子応用

蒸発から連続的に発電するナノデバイスを開発(Nanodevice produces continuous electricity from evaporation)

2026-02-19 スイス連邦工科大学ローザンヌ校(EPFL)EPFL(スイス連邦工科大学ローザンヌ校)のナノサイエンス・エネルギー技術研究室(LNET)チームは、蒸発する塩水から継続的に電気を生成するナノデバイスを開発した。この装置は、...
熱電性能を単一試料で直接評価~常識を覆す新測定パラダイム~ 0403電子応用

熱電性能を単一試料で直接評価~常識を覆す新測定パラダイム~

2026-02-18 埼玉大学埼玉大学大学院理工学研究科の研究グループは、熱電材料の無次元性能指数zTを単一試料・単一測定系で直接評価できる新手法「時間領域インピーダンス分光法(TDIS)」を確立した。従来はゼーベック係数、電気抵抗率、熱伝...
実用化の壁を超えるスピン力学センサーの誕生~高感度・高耐久を両立する新しいフィルム型ひずみゲージ~ 0403電子応用

実用化の壁を超えるスピン力学センサーの誕生~高感度・高耐久を両立する新しいフィルム型ひずみゲージ~

2026-02-17 大阪大学大阪大学産業科学研究所の千葉大地教授らは、磁気トンネル接合(MTJ)をフレキシブル基材上に形成した「スピン力学センサ」で、10万回超の引っ張り試験後も特性劣化がないことを世界で初めて実証した。従来の金属箔ひずみ...
量子ネットワーク向け微小ミラー技術を開発(Microscopic Mirrors for Future Quantum Networks) 0403電子応用

量子ネットワーク向け微小ミラー技術を開発(Microscopic Mirrors for Future Quantum Networks)

2026-02-17 ハーバード大学ハーバード大学工学応用科学部(SEAS)の研究チームは、量子ネットワークの実現に向け、光を高効率で制御できる微小ミラー(ナノスケール光共振器)を開発した。原子や量子ビットと強く結合する設計により、光子の放...
SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現する次世代ゲートドライバー技術を開発~パワー半導体分野におけるEV・データセンター向け電源システムの小型化・低コスト化、低消費電力化を実現~ 0403電子応用

SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現する次世代ゲートドライバー技術を開発~パワー半導体分野におけるEV・データセンター向け電源システムの小型化・低コスト化、低消費電力化を実現~

2026-02-17 株式会社東芝株式会社東芝はSiC(炭化ケイ素)パワーデバイス向けに、ノイズ低減と損失低減を両立する2種の次世代ゲートドライバー技術を開発した。1つ目は世界初の自動駆動波形生成機能を備えたフィードバック型アクティブゲート...
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