SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現する次世代ゲートドライバー技術を開発～パワー半導体分野におけるEV・データセンター向け電源システムの小型化・低コスト化、低消費電力化を実現～

株式会社東芝はSiC（炭化ケイ素）パワーデバイス向けに、ノイズ低減と損失低減を両立する2種の次世代ゲートドライバー技術を開発した。1つ目は世界初の自動駆動波形生成機能を備えたフィードバック型アクティブゲートドライバーで、温度や負荷変動に応じて最適波形を生成し、試作回路で最大28％のスイッチング損失低減と58％のサージ抑制を達成。2つ目は2進重みづけスイッチドキャパシタ方式により、少数キャパシタで9段階のゲート電圧を生成し、駆動損失を84％削減した。EVやデータセンター電源の高効率化・小型化・低コスト化に貢献する技術で、ISSCC 2026で発表予定。