電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～

東芝は、樹脂絶縁型SiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールの開発に成功しました。このモジュールは、従来のセラミック絶縁型と比べて熱抵抗を21%低減し、冷却システムのサイズを最大61%縮小可能と試算されています。これにより、電力変換器の小型化が実現し、電動モビリティや再生可能エネルギー分野への応用が期待されます。
開発の鍵は、モジュール内のSiCチップを小面積で分散配置する設計と、AIを活用した最適化技術にあります。これにより、放熱面積の拡大と電気・熱特性のバランスが最適化され、寄生抵抗やスイッチング損失もそれぞれ21%、19%低減されました。この成果は、2025年6月1日から熊本で開催された国際学会「ISPSD 2025」で発表され、カーボンニュートラル社会の実現に向けた重要な技術革新として注目されています。