2024-11-12 三菱電機株式会社
xEV用SiC-MOSFETを製造したウエハ（左）とサンプル提供を開始するチップ（右）（イメージ）
三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプライグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（以下、xEV）の駆動モーター用のインバーターに使用されるxEV用SiC-MOSFET※1チップのサンプル提供を11月14日に開始します。当社として初めて、標準仕様のパワー半導体チップを市場に供給することで、xEV市場拡大に向け多様化するインバーターに対応し、xEVの普及に貢献します。当社独自の構造や製造工程を用いたSiC-MOSFETチップで、xEV用インバーターの性能向上を図り、航続距離の延伸や電費の改善に貢献し、脱炭素社会の実現を推進します。
近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大しています。特に自動車分野では、温室効果ガス低減を目的とした自動車の電動化を背景に、モーター駆動におけるインバーターなどの電力変換機器に使用されるパワー半導体の需要拡大と多様化が進んでおり、中でも、電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体への期待が高まっています。
三菱電機は業界に先駆け、1997年にxEV用パワー半導体モジュールの量産を開始した後、ヒートサイクル耐性等の信頼性を向上し、インバーター小型化に向けた課題を解決するなどの実績を重ね、さまざまなEVやハイブリッド車（HEV）に搭載されてきました。2024年3月には、自動車市場で多くの採用実績がある三菱電機製T-PM※2の最新世代を搭載して、小型化を実現したxEV用パワー半導体モジュール「J3シリーズ」のサンプル提供を開始しました。
今回、xEV市場拡大に向けて多様化するxEV用インバーターに対応するため、三菱電機として初めて、標準仕様のパワー半導体チップである「xEV用SiC-MOSFETチップ」を市場に供給します。三菱電機独自構造を採用したトレンチ型※3 SiC-MOSFETにより、従来品のプレーナー型※4 SiC-MOSFETと比較して電力損失を約50％低減し、インバーターの性能向上を実現することで、xEVの航続距離の延伸や電費の改善に貢献します。また、三菱電機独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、電力損失やオン抵抗などの変動を抑制することで、長期間の使用における品質の安定性を実現、インバーターの耐久性を確保し、xEVの性能維持に貢献します。高性能なxEVの普及に向け、低電力損失で高品質のSiC-MOSFETチップの提供を行うことで、脱炭素社会の実現に貢献します。
- ※1 Silicon Carbide：炭化ケイ素Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
- ※2 Transfer molded Power Module：トランスファーモールド型パワー半導体モジュール
- ※3 ウエハの表面から溝（トレンチ）を掘り、ゲート電極を埋め込んだ構造
- ※4 ウエハの表面にゲート電極を設けた構造
- リリース全文 (PDF:411KB)
お問い合わせ先
- 三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 自動車事業推進プロジェクトグループ
