0400電気電子一般一覧

室温近傍での電場による磁化制御

自発磁化と自発電気分極を有するマルチフェロイック物質である六方晶鉄酸化物において、組成の最適化と高圧酸素アニーリングを行いマルチフェロイック相を室温以上の450Kまで安定化し絶縁性を改善した。電場磁化制御を室温近傍の270K付近で成功。

薄膜トランジスタを部分的なレーザー処理で高速化する技術を開発~4K8K大型テレビの製造コストを大幅に低減

a-Si膜のTFT素子のチャネル領域のみをレーザーアニール処理して、局所的に再結晶化することでTFT素子を高速化する技術を基に、レーザーアニール処理されたTFTの性能をリアルタイムに測定する装置の開発など、量産の課題を解決し実証した。

スピントロニクス集積回路技術を用いて、 高性能と超低消費電力を両立する 不揮発マイコンを世界で初めて実証

スピン移行トルク型MTJ(磁気トンネル接合素子)とSi-CMOS技術を組み合わせた集積回路技術を用いて、高性能(動作周波数200MHz)と超低消費電力(平均電力50μW以下)を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証した。

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