0403電子応用 トポロジカル反強磁性体において電気的に読み書き可能な信号の増強に成功
次世代の情報処理デバイスの主要材料、反強磁性体であるマンガン化合物Mn3Snと重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み、電気的に読み書き可能な信号をこれまで報告されていた値よりも3倍大きくすることに成功した。
0403電子応用
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2001原子炉システムの設計及び建設
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