TMR効果

閃光で一瞬!スピンデバイスを作る ―ミリ秒光パルス照射で、磁気メモリ・センサの熱処理を約1.7秒で完了― 0403電子応用

閃光で一瞬!スピンデバイスを作る ―ミリ秒光パルス照射で、磁気メモリ・センサの熱処理を約1.7秒で完了―

2026-05-12 大阪大学大阪大学産業科学研究所の今井亜希子助教、千葉大地教授らの研究グループは、磁気メモリ(MRAM)や磁気センサに使われる磁気トンネル接合(MTJ)の超高速熱処理技術を開発した。研究成果は2026年にnpj spin...
ad
タイトルとURLをコピーしました