SiCトランジスタ

界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6~80倍向上 0403電子応用

界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6~80倍向上

SiC(シリコンカーバイド)半導体で問題になっていた欠陥(不完全性)を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。
1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 0403電子応用

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

発表・掲載日:2017/12/05 1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 -ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ- ポイント 1200 V耐圧クラス...
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