MOSFET

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

発表・掲載日：2017/12/05　産総研1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発－ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－ポイント 1200 V耐圧クラ...

2017-12-09

0403電子応用