MOSFET

ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認～次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体～

2025-03-24 産業技術総合研究所産業技術総合研究所と本田技術研究所は、自動車駆動用途に向けた高電圧・大電流対応のダイヤモンドMOSFETを開発した。これは2.5アンペア動作で立下り時間19ナノ秒、立上り時間32ナノ秒の高速スイッチン...

2025-03-24

0403電子応用

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

発表・掲載日：2017/12/05　産総研1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発－ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－ポイント 1200 V耐圧クラ...

2017-12-09

0403電子応用