0403電子応用 高性能P型2次元半導体MoSi₂N₄単結晶のウェハー規模成長に成功（Scientists Achieve Wafer-Scale Growth of High-Performance P-Type 2D Semiconductor MoSi₂N₄ Single Crystals）
2026-08-28 中国科学院（CAS）中国科学院金属研究所の研究チームは、p型二次元（2D）半導体である単層MoSi₂N₄のウエハースケール・エピタキシャル単結晶成長に成功した。Cu(111)単結晶基板上で化学気相成長法を用い、基板表面...
