1703地質 地質が支える豊田地域の自動車産業～河岸段丘を活用した産業地帯の地質図幅刊行～
豊田地域の頑丈な地盤から脆弱な地盤までを詳細に示した5万分の1地質図幅「豊田」が完成。工場群のある場所が地質調査によって強靱な地盤「河岸段丘」であることが明らかに。
産業技術総合研究所
1703地質 
0110情報・精密機器 検温用サーモグラフィーの確かな温度基準となる平面黒体装置を開発
非接触検温などで用いられるサーモグラフィーの測定温度の精確（精密かつ正確）な基準となる平面黒体装置を開発した。
1700応用理学一般 デュアルコム分光を用いた平板光学材料の超高精度な屈折率・厚さ計測手法を開発
光の位相変化量を正確に直接計測できるデュアルコム分光法を用いて、平板シリコン材料の厚さと屈折率を、非接触で、多波長に対して高精度に同時計測する手法を開発しました。材料の屈折率を、平板形状のまま、究極的な精度で計測できる画期的なものです。
2100総合技術監理一般 政府の技術実証による大規模イベントでの感染予防対策の調査（第二報）
政府の「ワクチン・検査パッケージの技術実証」の試合を含むBリーグの5試合で感染予防対策の調査を実施。マスク着用率は試合中で平均96.3%、ハーフタイムで平均92.6%。観客の応援は主に拍手であり、試合時間に対してチャンスなどで歓声が発生した割合は平均0.8%。5試合における各会場の観客席のCO2濃度の平均値は623-919ppm。
0705金属加工 少数データから短時間で現場環境に応じた最適加工条件を決定
一枚の金属板から立体形状に成形するへら絞り「スピニング」加工において、AIを使ってローラーの最適な動作経路「ローラーパス」を瞬時に決定する技術を開発した。短時間で容易に、立体形状の高さや板厚が狙い通りの寸法となるように成形できる。
0501セラミックス及び無機化学製品 全固体電池の性能を加熱処理で大幅に向上～電気自動車用電池への応用に期待～
全固体電池の固体電解質と電極が形成する界面の抵抗（界面抵抗）が、大気中の水蒸気によって大きく増加し、電池性能を低下させることを発見した。さらに、増大した界面抵抗は加熱処理を行うことによって1/10以下に低減し、大気や水蒸気に全く曝露せずに作製した電池と同等の抵抗に改善できることを実証した。つまり、全固体電池の低下した性能を、加熱処理だけで大幅に向上させる技術を開発した。
1104空気調和 地下鉄における混雑時の運転状況を模した車内 CO2濃度の計測と換気の評価
地下鉄の実車両を用いて混雑時の運転状況を模してCO2を車両内に吐出させ、車内CO2濃度変化を実測。混雑時の運転状況を模して窓閉状態で約9分間走行すると、車内のCO2濃度は3,200 ppm程度まで上昇した。10 cm×2カ所の窓開状態で車内のCO2濃度は約15％減少し、窓開けによる換気は一定の効果があることが改めて確認された。
0501セラミックス及び無機化学製品 室温で量子輸送可能な2.8 nmのカーボンナノチューブトランジスタ
透過型電子顕微鏡（TEM）内高精度ナノマニピュレーション技術の開発を行い、個々のカーボンナノチューブ（CNT）に対して局所的にらせん構造を変化させ、金属-半導体転移を制御することにより、CNT分子内トランジスタの作製に成功しました。
0504高分子製品 生分解材料からなる両親媒性高分子を開発～ポリエステルとポリアミド由来ジブロック共重合体の創製～
生分解性骨格からなる新たな両親媒性高分子材料を開発した。ポリエステルとポリアミドを結合させた新素材を開発し、両親媒性を実証。原料成分にいずれも生分解性のあるポリエステルとポリアミドを採用。
1700応用理学一般 熱の局所的かつ過渡的な逆流現象の原理を初めて解明
材料両端の温度差とは逆向きの熱流が局所的かつ過渡的に発生する「熱インダクタンス現象」が、ある条件の下では材料によらず普遍的に生じることを初めて解明した。
1700応用理学一般 強磁場発生装置を用いない量子抵抗標準素子の開発に成功
トポロジカル絶縁体を応用、国家計量標準と同等精度の電気測定がより手軽に021-12-14 産業技術総合研究所ポイント 新材料トポロジカル絶縁体を応用することで、強磁場発生装置が不要な量子抵抗標準素子を開発 素子の品質向上により安定性を大幅改...
0403電子応用 GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証
ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、ハイブリッド型トランジスタの作製および動作実証に世界で初めて成功した。GaNとSiCのデバイス試作を両立できる独自の一貫製造プロセスラインの構築によって、ハイブリッド型トランジスタの実現に至った。試作したハイブリッド型トランジスタは、GaNの特長である低いオン抵抗およびSiCダイオードで実績のある非破壊降伏の両立を実現した。