1600情報工学一般 心理学の手法をAIに応用し「不気味の谷」現象を検証～AIで人間の感性評価傾向を探る～
2023-05-19 産業技術総合研究所ポイント人間の顔とその他の物体を合成した画像を入力し、感情的な言葉との内容の一致度をAIで解析人間に中途半端に似た対象を不快と評価する「不気味の谷」現象をAIで確認人間が親しみを感じるロボットやアバタ...
産業技術総合研究所
1600情報工学一般 
1702地球物理及び地球化学 温暖化環境下において東南極氷床が融解し得ることを発見～海面が将来大幅に上昇するリスクへの警鐘～
2023-04-19 北海道大学,富山大学,国立極地研究所,産業技術総合研究所,高知大学発表のポイント 過去の温暖期（最終間氷期）における東南極氷床の著しい縮小を発見。 この氷床の縮小が海面上昇に影響していることを解明。 南極氷床と海面変動...
1703地質 わが国最大の巨大噴火の全体像が明らかに～阿蘇4火砕流の詳細な分布図と地質情報を公開～
2023-04-12 産業技術総合研究所ポイント 約9万年前に発生した阿蘇4火砕流の初めてとなる詳細な分布図を公開 九州6県および山口県に及ぶ阿蘇4火砕流堆積物の分布範囲を図示 地域の防災対策や国土利用への活用に期待阿蘇4火砕流堆積物の分布...
0504高分子製品 安定的で高効率発光を示すラジカルを開発～樹状高分子を結合することで発光効率と安定性が向上～
2023-03-28 産業技術総合研究所ポイント 高効率な発光材料には有機ELデバイスやバイオイメージングなどの用途がある 発光ラジカルに樹状高分子（デンドリマー）を結合することで安定化と高効率化が出来ることを世界で初めて発見 高効率な赤色...
1600情報工学一般 量子コンピュータを利用できる「量子計算クラウドサービス」開始～国産超伝導量子コンピュータ初号機の公開＝
2023-03-24 理化学研究所,産業技術総合研究所,情報通信研究機構,大阪大学,富士通株式会社,日本電信電話株式会社理化学研究所（理研）量子コンピュータ研究センターの中村 泰信 センター長、産業技術総合研究所 3D集積システムグループの...
0402電気応用 広範囲な発光の時間変化を数秒で計測する技術を開発～深層学習を活用した次世代有機EL材料開発の新たな道を拓く～
2023-03-22 産業技術総合研究所ポイント 熱活性型遅延蛍光材料から放射される光の強度の時間変化を迅速に計測できる装置を開発 数時間の測定を数秒に短縮、7桁を超える発光信号強度の検出も実現 大量の実験データを利用した深層学習による新し...
0403電子応用 「AIチップ設計拠点」の本格運用を開始～設計環境の提供により、中小・ベンチャー企業などのAIチップ開発加速を目指す～
2023-03-17 産業技術総合研究所NEDOは「AIチップ開発加速のためのイノベーション推進事業」を行っており、本事業において産業技術総合研究所および東京大学と共同で、東京大学本郷地区浅野キャンパス（東京都文京区）内に「AIチップ設計拠...
0703金属材料 温度によらず必要な時に力を加えて熱を取り出せる新規合金を開発～日中に蓄えた熱を夜間に効率的に放出する等、蓄熱システムの中核技術に～
2023-03-08 産業技術総合研究所ポイント 材料の蓄熱と放熱を外力で制御する技術を開発 任意の温度で、新規開発合金に蓄えた熱を取り出すことに成功 廃熱の有効利用でカーボンニュートラル実現に貢献（上）応力で熱を取り出す際のイメージ図。（...
0501セラミックス及び無機化学製品 無機ナノファイバーに金属原子を挿入する技術を開発～次世代のエレクトロニクス応用に期待～
2023-03-03 産業技術総合研究所東京都立大学 理学研究科物理学専攻の夏井隆佑（大学院生）、清水宏（大学院生）、中西勇介助教、島村燿人（学部生）、遠藤尚彦（研究員）、宮田耕充准教授、産業技術総合研究所 材料・化学領域 極限機能材料研究...
1703地質 自然由来重金属類の濃度分布とそれに関わる環境因子の情報を公開～九州地方における表層土壌の環境が人に及ぼすリスクを見える化～
2023-03-01 産業技術総合研究所ポイント 自然由来重金属類の土壌中濃度を調査し、人への影響についてリスクを評価 一部の休廃止鉱山の周辺でヒ素や鉛の水溶出量や含有量が比較的多い土壌を検出 公害問題があった土呂久・松尾鉱山の周辺およびそ...
0110情報・精密機器 プラスチックの劣化状態を非破壊分析するシステムを開発～結晶の厚みと結晶中の高分子らせんの数を同時計測～
2023-02-28 産業技術総合研究所ポイント 2種の光を組み合わせることでプラスチックの結晶構造を精密に分析 劣化による結晶の厚みの増加をX線で、高分子鎖のらせん形状の変化を近赤外光で検出 プラスチック製品の劣化機構を解明する新しいツー...
0403電子応用 ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発～2次元材料MoS2と層状Sb2Te3での低コンタクト抵抗の実現～
2023-02-10 産業技術総合研究所ポイント スパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成 MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス界面)形成で低コンタクト抵抗を実現 耐熱性があり量産も見込め、次世代CM...