正孔移動度

水素終端ゲルマニウム層状半導体（ゲルマナン）において記録的な正孔移動度を達成 ──2D/3D同一元素ヘテロ界面による新たな材料開発の指針──

2026-04-09 東京大学東京大学大学院総合文化研究科の研究チームは、水素終端ゲルマニウム層状半導体「ゲルマナン（GeH）」において、記録的な正孔移動度（67,000 cm²/Vs）を達成した。3Dゲルマニウム基板上に2Dゲルマナンを形...

2026-04-09

0403電子応用

ナノ材料の金属空孔が太陽水素技術を向上 (Nanomaterials: The Power of Absence)

2025-03-11 ミュンヘン大学 (LMU)ミュンヘン大学（LMU）のエミリアーノ・コルテス教授と中国の中南大学（CSU）の劉敏教授が率いる国際研究チームは、金属酸化物内の微小な金属欠陥が太陽光を利用した水の分解による水素生成技術を大...

2025-03-12

1700応用理学一般