次世代半導体

AIを高速化し省電力化する新しい薄膜材料を開発(UH Engineers Making AI Faster, Reducing Power Consumption) 0403電子応用

AIを高速化し省電力化する新しい薄膜材料を開発(UH Engineers Making AI Faster, Reducing Power Consumption)

2025-12-02 ヒューストン大学ヒューストン大学(University of Houston)の研究チームは、AI推論を従来より高速・省電力で実行できる超薄膜電子デバイス技術を開発した。新技術は、厚さわずか数ナノメートルの強誘電体薄膜...
水素発生と半導体応用を兼ね備えた2次元半導体ナノリボンを実現 ~MoS2ナノリボンで高い触媒活性とトランジスタ動作を実証~ 1700応用理学一般

水素発生と半導体応用を兼ね備えた2次元半導体ナノリボンを実現 ~MoS2ナノリボンで高い触媒活性とトランジスタ動作を実証~

2025-01-09 九州大学総合理工学研究院 吾郷浩樹 主幹教授ポイント クリーンエネルギーの観点から水素発生触媒が必要とされているが、白金触媒は高価なため、代替となる触媒の候補として二硫化モリブデン(以下、MoS2)が期待されている。 ...
改造電子レンジで次世代半導体を仕上げる (Modified microwave oven cooks up next-gen semiconductors) 0400電気電子一般

改造電子レンジで次世代半導体を仕上げる (Modified microwave oven cooks up next-gen semiconductors)

2022-09-08 アメリカ合衆国・コーネル大学・ コーネル大学が、改造した家庭用電子レンジによる次世代半導体の作製を実証。半導体産業の直面する主要な課題に対処する技術を開発した。・ トランジスタ等のマイクロチップ部品を構成する材料の作製...
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