0403電子応用 界面の高品質化と平坦性向上によりSiC半導体の性能を6~80倍向上
SiC(シリコンカーバイド)半導体で問題になっていた欠陥(不完全性)を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。
0403電子応用
1903自然環境保全
0403電子応用
0500化学一般
0501セラミックス及び無機化学製品
1900環境一般
0500化学一般
0500化学一般
1700応用理学一般
0505化学装置及び設備
0300航空・宇宙一般
0703金属材料