0403電子応用 酸化物初の熱的相変化を活用した電気抵抗スイッチングを実証 ～多値記憶可能な相変化メモリーデバイスの実現に期待～
2023-09-06 東北大学 大学院理学研究科化学専攻 助教 河底 秀幸（かわそこ ひでゆき） 【発表のポイント】 相変化メモリ（注1）は、電源を切っても記憶した情報が消えない不揮発性メモリの一種で、その動作原理である「熱的相変化を活用し...
不揮発性メモリ
0403電子応用 
0403電子応用 100兆回の書込みを保証する8MビットFRAMを開発
FRAM製品では初めてとなる100兆回の書込み回数を保証した製品として、パラレルインターフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始しました。本製品は、当社従来品よりもアクセススピードを約30%高速化するとともに、動作電流を10%削減しており、高速動作と低消費電力を両立させた不揮発性メモリです。これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に最適なメモリです。
0403電子応用 ワイル粒子を用いた不揮発性メモリ素子の原理検証に成功
反強磁性体中において、幻の粒子「ワイル粒子」の電気的制御に成功し、ワイル粒子の作る巨大電圧信号を利用した不揮発性メモリの動作原理を実証した。
0403電子応用 125℃動作のFRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発
高温環境下での信頼性を保証する自動車、産業用ロボット向け不揮発性メモリ 富士通セミコンダクター株式会社（注1）は、125℃での動作を保証するFRAM（注2）ファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFRAM「MB85RS2MTY」を開...