0403電子応用 SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発 炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2 kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。 2018-12-05 0403電子応用
0403電子応用 6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発 ―鉄道・電力向けパワーエレクトロニクス機器の小型化・省エネ化に貢献―2018-01-31 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構NEDOプロジェクトにおいて、三菱電機（株）は、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により、従来の... 2018-02-04 0403電子応用
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