0403電子応用 強誘電体酸化物の巨大抵抗変化を利用して脳型素子を実現～強誘電体の電気分極を用いてシナプスの機能を模倣する～
2025-09-09 東京大学東京大学の研究グループは、強誘電体チタン酸鉛（PbTiO₃）の高品質単結晶薄膜に酸素欠損を導入し、巨大な抵抗変化を示す新型メモリスタ素子を開発した。従来のPbTiO₃は絶縁性が強く電流が流れにくいが、欠損導入に...
メモリスタ
0403電子応用 
0403電子応用 磁場履歴を記憶できる新たな巨大抵抗変化メモリ素子を実現～磁場でも制御可能なメモリスタの開拓～
2025-01-10 東京大学発表のポイント 強磁性体／酸化物／半導体多層膜を電極とし半導体をチャネルとした二端子素子を作製し、定電圧下において、印加された磁場の履歴を記憶でき、それを巨大な抵抗変化として読み出せるメモリ（メモリスタ）を実現...
0403電子応用 Qiangfei Xia教授のメモリスタに関する先駆的な研究が、人工知能のハードウェアのフロンティアを押し広げる(Pioneering Research by Qiangfei Xia on Memristors Pushes the Frontier of Artificial Intelligence Hardware)
2023-04-03 マサチューセッツ大学アマースト校メモリスタは、電力が切れても情報を保存できる電子部品であり、機械学習や人工知能に多くの計算的な応用が可能である。しかし、メモリスタの電気伝導におけるノイズが精度を制限していた。この問題に...