0403電子応用 ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認～次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体～
2025-03-24 産業技術総合研究所産業技術総合研究所と本田技術研究所は、自動車駆動用途に向けた高電圧・大電流対応のダイヤモンドMOSFETを開発した。これは2.5アンペア動作で立下り時間19ナノ秒、立上り時間32ナノ秒の高速スイッチン...
パワーデバイス
0403電子応用 
0403電子応用 高スイッチング周波数動作の実現に向けたパワーデバイスの高周波特性評価を手軽に～パワーデバイスのSパラメータを汎用的に測定できるシステムを開発～
2025-03-19 産業技術総合研究所産業技術総合研究所（産総研）は、株式会社テクノプローブおよびキーサイト・テクノロジー株式会社と共同で、表面実装型パワーデバイスの高周波特性を簡便かつ汎用的に評価できるシステムを開発しました。 このシス...
1700応用理学一般 ダイヤモンド表面の個々の原子の可視化に成功～ダイヤモンドデバイスを原子レベルで分析する道が開ける～
2025-01-08 東京大学,産業技術総合研究所発表のポイント 究極のパワー半導体として期待されるダイヤモンド表面の個々の原子の可視化に成功し、可視化されるしくみを明らかにしました。 ダイヤモンドの薄膜成長やデバイス性能に関わる原子レベル...
0403電子応用 世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功～β型酸化ガリウム基板の大口径化・高品質化に貢献～
2023-12-25 産業技術総合研究所（株）ノベルクリスタルテクノロジーは、垂直ブリッジマン（VB）法による6インチβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）単結晶の作製に世界で初めて成功しました。本成果により、β-Ga2O3基板の大口径化・高品...
0403電子応用 国内初、酸化ガリウムショットキーバリアダイオード搭載の出力電力350W電流連続型力率改善回路の実機動作確認に成功～高出力・高耐圧・優れた省エネ性を実証～
2023-04-06 新エネルギー・産業技術総合開発機構,株式会社ノベルクリスタルテクノロジーNEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」の一環として「β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの製品化開発」に取り組む（株）ノベルクリ...
0403電子応用 SiCパワーデバイス「TED-MOS®」の物理モデルに基づく高自由度設計技術を開発
デバイスが短絡した際の破壊原因となる過電流について、その抑制機構に関する物理モデルを構築した。さらに本物理モデルに基づき、「TED-MOS®」の構造的特長を生かした高自由度なデバイス設計技術を開発した。
0403電子応用 高温で動作する酸化ガリウムダイオードを開発
パラジウムとコバルトからなる金属酸化物（ＰｄＣｏＯ２）と酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を原子レベルで接合し、３５０℃の高温動作可能な整流素子（ダイオード）を開発した。パワーデバイスやセンシングデバイスに応用が期待される。